Sinds ongeveer twee jaar is IBM al bezig met het ontwikkelen van een transistor die gebruik maakt van een silicium-germanium-legering. Germanium is een betere halfgeleider dan silicium en een germanium-transistor kan hierdoor op hogere snelheden werken, maar germanium is minder goed bestand tegen hoge temperaturen dan silicium. Als beide materialen echter in de juiste verhoudingen worden gemengd, dan ontstaat er een halfgeleider die bestand is tegen hoge temperaturen en daarnaast ook nog eens sneller is dan een silicium-transistor. Anderhalf jaar later maakte IBM bekend dat hun SiGe-transistor weer een nieuw snelheidsrecord had neergezet en dat de technologie ondertussen al op de 180nm en de 130nm-node werd gebruikt.
Helaas was de nieuwe transistor niet overal inzetbaar. Voor het maken van SiGe-transistors werd er namelijk gebruik gemaakt van een andere procestechnologie dan bij de fabricatie van CMOS-producten. Van The Inquirer krijgen we nu echter te horen dat IBM er in is geslaagd om het SOI-CMOS-proces met het SiGe-proces te combineren. Er wordt verwacht dat er binnen vijf jaar chips zullen verschijnen die met dit nieuw proces zijn gemaakt:
That will mean the introduction of chips that combine the two technologies within one package within the next five years, claimed IBM. The application could, for example, be used to allow video streaming on mobile telephones. The breakthrough is being announced at the Bipolar-BiCMOS Circuits conference in Toulouse, France.
