In de continue strijd om transistors zuiniger te maken terwijl de snelheid groter wordt leek AMD vooral hun onderzoek te wijden aan de ontwikkeling van de FinFET, een field-effect-transistors met twee gates, net als Motorola en TSMC. De grootste microelektronicafabrikant ter wereld, Intel, keek echter in een andere richting en investeerde in de ontwikkeling van een FET met drie gates. Welke van de twee technologiën de beste is, is nog maar de vraag omdat ze allebei nog steeds in het experimentele stadium zitten.
Op C|Net News.com kunnen we nu echter lezen dat AMD op de International Conference on Solid State Devices and Materials in Tokyo een nieuwe transistor heeft getoond die gebruik maakt van drie gates. Naast het gebruik van drie gates, worden er ook een aantal andere nieuwe technieken gebruikt om de transistor sneller en zuiniger te maken, zoals SOI en metalen gates. Verwacht wordt dat de eerste chips die gebruik maken van deze transistor in 2007 zullen verschijnen.