De driedimensionale transistor is wederom een stap dichter bij de realiteit. Al in 2002 verschenen de eerste berichten dat Intel bezig was met het experimenteren met driedimensionale transistoren. Zoals wellicht bekend bestaat een transistor normaal gesproken uit een source, drain en gate. Door een spanning op de gate te zetten loopt er een stroom door tussen de source en de drain. Het nieuwe type transistor bevat drie gates die zijn geplaatst in een driedimensionale structuur, een grote verandering ten opzichte van de huidige transistors die allen in een plat vlak worden gerealiseerd. Dankzij de drie gates is een hogere schakelsnelheid mogelijk en lekken er minder elektronen weg in de transistor. De drie gates zouden het energieverbruik van een transistor in de 'uit'-stand met een factor vijftig verminderen waardoor de energieconsumptie van een processor kan dalen met 35 procent. Intel denkt dat de driedimensionale transistor klaar is voor massaproductie in 2009, samen met de 32nm generatie.
