Op The Inquirer is te lezen dat AMD twee snelle transistoren heeft ontwikkeld. Het bedrijf beweert ten eerste een transistor te hebben ontwikkeld die 30 procent sneller is dan huidige transistors. De transistor is geproduceerd op basis van Silicon-on-Insulator techniek. De tweede doorbraak die het bedrijf claimt is een strained silicon transistor die 20 tot 25 procent sneller is dan andere transistors die op basis van deze techniek zijn geproduceerd. Dit wordt bereikt dankzij het gebruik van metal-gates. Beide ontwikkelingen worden getoond op het VLSI symposium in Kyoto, wat in juni plaats vindt:
CHIP FIRM AMD has claimed that its engineers have developed a high performance transistor that will deliver over 30 per cent increase over current technology.
The transisors use fully depleted silicon on insulator technology and AMD claims it will unveil these faster devices in June.