AMD heeft nieuwe informatie bekendgemaakt het 0,045 micron-procédé dat het samen met IBM ontwikkelt om rond het jaar 2007 processors mee te gaan bakken. Het bedrijf zal net als Intel gebruik gaan maken van metalen multi-gate transistors, gebakken op een bodem van fully depleted SOI en strained sillicon. Hoewel beide bedrijven dus ongeveer dezelfde doelen voor ogen hebben, hebben ze ieder hun eigen koers uitgestippeld om op hun bestemming aan te komen. De volgorde waarin de verschillende technieken worden ingevoerd ligt sowieso anders; AMD heeft bijvoorbeeld al bijna een jaar ervaring met partially depleted SOI, terwijl Intel zich op strained silicon wil richten tot fully depleted SOI haalbaar is. Een ander belangrijk verschil in aanpak is dat de tot nu toe geheim gehouden legering die Intel voor de gates van zijn 45nm-transistors gaat gebruiken een hoge k-waarde heeft, terwijl AMD een mengsel van nikkel en silicium met lage k-waarde wil gebruiken. Beide bedrijven beweren uiteraard dat hun eigen oplossing de beste is:
AMD's transistor is not dependent upon the use of so-called "high-k" gate dielectric materials, which have been shown to have negative effects on some aspects of transistor performance.
"We have taken a structural approach that utilizes conventional materials in new ways to provide a demonstrated solution at the 20 nm gate dimension. This is the kind of innovation required to drive technology advancement well into the next decade," stated Lin.
De technische presentatie is hier te vinden.