De mannen van Hardware Analysis hebben een interessant artikel gepubliceerd over de werking van halfgeleiders. Halfgeleiders zijn vooral interessant omdat het aantal beschikbare vrije elektronen elektrisch geregeld kan worden. Halfgeleidende materialen hebben een valentie- en een geleidingsband. Deze twee banden worden gescheiden door een bandgap. Afhankelijk van de grootte van de energiekloof tussen de banden zal er een aantal elektronen uit de valentieband genoeg energie hebben om naar de geleidingsband te gaan. Deze ongebonden elektronen kunnen zich vervolgens relatief vrij door het kristal verplaatsen. Tevens bewegen de gaten die in het rooster zijn ontstaan door het wegtrekken van elektronen ook: een gat kan namelijk weer voorzien worden van een ander elektron, die vervolgens weer een gat achterlaat.
Het oversteken van een elektron van de valentieband naar de geleidingsband kost energie, die bijvoorbeeld geleverd wordt door warme uit de omgeving. Hierdoor is bijvoorbeeld de geleiding in zuiver, intrinsiek, silicium erg temperatuur afhankelijk. Aangezien we de geleiding extern elektronisch willen kunnen beïnvloeden wordt dit intrinsieke materiaal gedoteerd. Er worden vreemde atomen toegevoegd die goed in het oorspronkelijke kristalrooster passen. Deze atomen hebben één elektron minder, of één elektron meer in de valentieband zitten. Door deze atomen aan het rooster toe te voegen is het mogelijk om met slechts een klein beetje energie mobiele elektronen, danwel mobiele gaten te creeëren. Op deze manier beschikken we over een materiaal waarvan we de geleiding 'gemakkelijk' elektrisch kunnen beïnvloeden.
Het uitgebreide verhaal over halfgeleiders vind je hier, inclusief informatie over de PN-junctie, de basis van de BJT-transistoren:
To reinforce the usefulness of this type of doping, consider the following figures: intrinsic silicon at room temperature has on the order of 10^10 charge carriers per cubic centimeter available at all times, simply due to thermal generation. Using common modern technology, we can easily implant in excess of 10^17 Phosphorus atoms per cubic centimeter, thereby increasing the number of charge carriers from 10^10 to 10^17, an increase of 10,000,000 times. Clearly, this will very drastically impact the conductivity of the sample.