De DigiTimes meldt dat TSMC op 12 december de eerste 25nm transistor heeft getoont. TSMC, partner van een groot aantal technologiebedrijven zoals ATi en nVidia, heeft het gepresteerd om een CMOS SRAM-cel te maken gebaseerd op deze nieuwe 25nm FinFET transistoren. TSMC beweert dat zij de eerste zijn die in staat zijn gebleken om een CMOS-transistor te bouwen op dit formaat. CMOS-componenten (complementary metal oxide semiconductor) zijn opgebouwd uit zowel N- als P-type transistors, die inverse schakelen.
De nieuwe transistor is 'Omega FinFET' gedoopt, omdat de vormgeving lijkt op het Griekse Omega teken. Dankzij het nieuwe ontwerp gebruikt de transistor slechts 0,7 Volt. De gate-delay is slechts 0,39ps voor de P-type transistors en 0,88ps voor de N-type transistors. Deze nieuwe transistor is volgens TSMC dan ook de snelste transistor die op dit miniscule formaat is geproduceerd:
The newly designed FinFET CMOS (complementary metal oxide semiconductor) transistor, operating on just 0.7 volts of power, demonstrates a way to increase speed while controlling leakage and power, a challenge that has been the leading barrier to the development of advanced system-on-chip (SoC) technology, said the company in a statement.
“Our FinFET design successfully achieves targets for high speed, low voltage and low leakage, thereby satisfying the low power requirements of the ITRS roadmap and the application space of tomorrow,” said Chenming Hu, TSMC’s chief technology officer.