Cookies op Tweakers

Tweakers maakt gebruik van cookies, onder andere om de website te analyseren, het gebruiksgemak te vergroten en advertenties te tonen. Door gebruik te maken van deze website, of door op 'Ga verder' te klikken, geef je toestemming voor het gebruik van cookies. Wil je meer informatie over cookies en hoe ze worden gebruikt, bekijk dan ons cookiebeleid.

Meer informatie

Door , , 17 reacties
Bron: DigiTimes, submitter: Femme

De DigiTimes meldt dat TSMC op 12 december de eerste 25nm transistor heeft getoont. TSMC, partner van een groot aantal technologiebedrijven zoals ATi en nVidia, heeft het gepresteerd om een CMOS SRAM-cel te maken gebaseerd op deze nieuwe 25nm FinFET transistoren. TSMC beweert dat zij de eerste zijn die in staat zijn gebleken om een CMOS-transistor te bouwen op dit formaat. CMOS-componenten (complementary metal oxide semiconductor) zijn opgebouwd uit zowel N- als P-type transistors, die inverse schakelen.

De nieuwe transistor is 'Omega FinFET' gedoopt, omdat de vormgeving lijkt op het Griekse Omega teken. Dankzij het nieuwe ontwerp gebruikt de transistor slechts 0,7 Volt. De gate-delay is slechts 0,39ps voor de P-type transistors en 0,88ps voor de N-type transistors. Deze nieuwe transistor is volgens TSMC dan ook de snelste transistor die op dit miniscule formaat is geproduceerd:

TSMC waferThe newly designed FinFET CMOS (complementary metal oxide semiconductor) transistor, operating on just 0.7 volts of power, demonstrates a way to increase speed while controlling leakage and power, a challenge that has been the leading barrier to the development of advanced system-on-chip (SoC) technology, said the company in a statement.

“Our FinFET design successfully achieves targets for high speed, low voltage and low leakage, thereby satisfying the low power requirements of the ITRS roadmap and the application space of tomorrow,” said Chenming Hu, TSMC’s chief technology officer.
Moderatie-faq Wijzig weergave

Reacties (17)

Dat is dus 10x zo klein als de Pentium II en de Slot A Athlon van 3 jaar geleden :)

[edit[
en meer dan 100x zo klein als de 8086 (3 micron).
quote:
“Our FinFET design successfully achieves targets for high speed, low voltage and low leakage.

En niet te vergeten een lagere warmteontwikkeling, wat zeker voor de tweakers belangrijk is.
Wie zegt dat? Misschien verbruiken de chips nog steeds meer energie, de hoeveelheid watt. Dat is juist de oorzaak van de warmte, want: de elektrische energie wordt grotendeels omgezet in thermische energie (warmte dus).
Het is alzo een beetje te vroeg om hierover te spreken, ze hebben pas één geheugencel kunnen maken met deze nieuwe transistoren. Dat wil dus zeggen dat het nog wel even gaat duren voordat dit op grote schaal toegepast kan gaan worden.

En als ik mijn bejaarde HTS kennis er bijhaal, dan maakt een CMOS FET gebruik van spanning om te schakelen, en geen stroom, hierdoor zou dus het vermogen erg laag zijn en heeft marco900 dus gelijk. (maar zoals ik al zei, dit is voor mij een tijdje geleden dus ik kan er naast zitten)
Daarbij wordt het aantal transistoren wel steeds groter en ontwikkelt zich wel steeds meer warmte, al ontwikkelen die transistoren zelf misschien minder...
Low leakage is hetzelfde als minder warmte, die lekkende energie zorgt namelijk voor die warmte |:(
Dit is toch in principe Nano technologie?

Of is Nano technologie pas als het minder dan 10 atomen is want, 25 atomen is wel erg weinig.

Welke atoom bedoelen ze eigenlijk als ze het hebben over 1 nano meter?
nanometer (0,000.000.001 meter) komt gewoon na micrometer / micron (0,000.001 meter). Geen idee waar de grens tussen 'normale' en nanotechnologie ligt, maar ik neem aan dat het werken met losse moleculen de echte nanotechnologie wordt.

Die atomen waar je het over hebt zijn btw weer een heel stuk kleiner dan dit. Zal nog wel een tijd duren voordat men daarmee gaat werken.
Dude, nanometer is gewoon meter keer tien tot de macht min negen. Dat atomen nou in die schaal vallen....

[Edit] Nu ik toch bezig ben ;), in het artikel gaat het over ps:
[quote]
De gate-delay is slechts 0,39ps voor de P-type transistors en 0,88ps voor de N-type transistors.
[/quote]
Ik denk dat picoseconde bedoeld wordt, en dat is dus seconde keer tien tot de macht min 12. (*10^ -12)
Ik hoop dat dit helpt..
Ik weet wel dat het toevallig in die schaal valt, maar er moet een atoom zijn dat toevallig even groot is als 1 nanometer precies.

Of dat nou een waterstofatoom is of een koolstofatoom weet ik niet maar dat het wel zo is weet ik wel.
Bedoel je de kern of met elektronenwolk? Daar komt ook nog bij dat er een waarschijnlijkheidsgebied is waarin een elektron zich bevindt. En verder, wat doet het er toe? :z

Maar, als je het graag wil weten moet je ff in binas tabel 39 kijken bij atoomstraal. Die is uitgedrukt in picometer en nergens groter dan 270...
Ik denk dat dat de straal is van het midden van de kern tot het buitenste elektron, maar dat weet ik niet zeker. Als ik gelijk heb is de diameter dus maximaal 540 picometer (0.540 nanometer). Ik hoop dat ik je heb geholpen. ;)
CMOS-componenten (complementary metal oxide semiconductor) zijn opgebouwd uit zowel N- als P-type transistors, die inverse schakelen.
Bedoelen ze dat de transistors zijn gemaakt van stikstof en fosfor of zo?? Dacht dat ze die dingen van silicium(oxide) maakten??
Met P en N worden niet de elementen stikstof en fosfor bedoelt, maar types transistoren, volgensmij gewoon NPN en PNP.
(gate, basis en emitter zitten anders)
Bijna. Het zijn geen transistoren maar FET's. N-kanaal en P-kanaal FET's. Waarbij de N of P aangeeft of het kanaal een elektronen-overschot of -tekort heeft. Dat wordt gedaan door een doping met een materiaal wat extra 'gaten' openlaat of juist vult.
De gate-delay is slechts 0,39ps voor de P-type transistors en 0,88ps voor de N-type transistors.
Heeft dat ook ook iets te maken met latencies en de snelheid van een totaal geheugenreepje? Nu hebben hele ze hebben het al over tienden van picoseconden, dat is minder dan een kloktik toch?
Opzich kan mij dit niet zoveel boeien, ik ben meer geinteresseerd in technieken die wat recenter ingevoerd gaan worden. Hier hoor je nu wat van, dan is het 2 jaar stil en dan komen ze er pas weer aanhobbelen met deze techniek. Ti's wel goed dat ze het doen, maar de specificatie zij heel beperkt en kunnen allemaal nog anders worden tegen de tijd dat het echt ingezet wordt.
Ehh, nee. Het is alleen zo dat TSMC dus leverancier is van beide bedrijven.

Net zoals nokia, samsung en sony best allemaal gebruik kunnen maken van hetzelfde merk machines om hun spullen in elkaar te zetten.
(ik noem maar wat merken hoor)

Op dit item kan niet meer gereageerd worden.



Apple iOS 10 Google Pixel Apple iPhone 7 Sony PlayStation VR AMD Radeon RX 480 4GB Battlefield 1 Google Android Nougat Watch Dogs 2

© 1998 - 2016 de Persgroep Online Services B.V. Tweakers vormt samen met o.a. Autotrack en Carsom.nl de Persgroep Online Services B.V. Hosting door True