Intel heeft voor het eerst ddr3-componenten en -modules gevalideerd. Hynix start de massaproductie van het goedgekeurde ddr3 sdram-geheugen op 80nm in het derde kwartaal van dit jaar; aan het eind van 2007 moet vervolgens de 65nm-productie van start gaan.
Het doel van Intels validatieprogramma voor ddr-geheugenmodules is om tot een richtlijn te komen voor compatibiliteit met Intel-chipsets. De goedgekeurde ddr3-producten betreffen een 1Gb ddr3 sdram-component dat geproduceerd gaat worden op het 80nm-procedé en 1GB en 2GB ddr3 ongebufferde dimms. De onderdelen krijgen snelheden van 800MHz en 1066MHz en doen hun werk op 1,5V. Naast de hogere snelheden consumeert ddr3 een kwart minder stroom dan het huidige ddr2. Volgens Hynix minimaliseert hun 'driedimensionale transistor'-architectuur de stroomlekkage waardoor het verbruik nog verder daalt en data-integriteit verzekerd is.
Pas in het derde kwartaal komt de ddr3-productie van Hynix op stoom. Eerder kondigden geheugenfabrikanten als Buffalo, Super Talent en Corsair de komst van ddr3-producten al aan, de eerste ddr3-chipsets worden echter pas in het derde kwartaal van dit jaar verwacht. Volgens onderzoeksbureau iSuppli gaat ddr3 tegen het eind van 2008 een kwart van de dram-markt uitmaken en deze markt in 2010 domineren. Hynix lijkt overigens de koppositie van Samsung op het gebied van dram-productie over te nemen, constateert Gartner. De voorlopige omzetverwachtingen van het onderzoeksbureau geven aan dat het marktaandeel van Samsung is gedaald tot 25,5 procent, slechts 2,7 procent boven rivaal Hynix. De voorsprong van Samsung op de dram-markt is sinds 2000 niet zo klein geweest, toen Micron de koppositie bedreigde. Verantwoordelijk voor de stijging van de kwartaalomzet van zes procent van Hynix is volgens Gartner de continu stijgende productie van Hynix' nieuwe 300mm fabs in combinatie met de productieverschuiving van nand naar dram en de toegenomen productie op 80nm.
?
