Cookies op Tweakers

Tweakers maakt gebruik van cookies, onder andere om de website te analyseren, het gebruiksgemak te vergroten en advertenties te tonen. Door gebruik te maken van deze website, of door op 'Ga verder' te klikken, geef je toestemming voor het gebruik van cookies. Wil je meer informatie over cookies en hoe ze worden gebruikt, bekijk dan ons cookiebeleid.

Meer informatie

Door , , 11 reacties
Bron: Digitimes

Intel heeft voor het eerst ddr3-componenten en -modules gevalideerd. Hynix start de massaproductie van het goedgekeurde ddr3 sdram-geheugen op 80nm in het derde kwartaal van dit jaar; aan het eind van 2007 moet vervolgens de 65nm-productie van start gaan.

Hynix ddr3Het doel van Intels validatieprogramma voor ddr-geheugenmodules is om tot een richtlijn te komen voor compatibiliteit met Intel-chipsets. De goedgekeurde ddr3-producten betreffen een 1Gb ddr3 sdram-component dat geproduceerd gaat worden op het 80nm-procedé en 1GB en 2GB ddr3 ongebufferde dimms. De onderdelen krijgen snelheden van 800MHz en 1066MHz en doen hun werk op 1,5V. Naast de hogere snelheden consumeert ddr3 een kwart minder stroom dan het huidige ddr2. Volgens Hynix minimaliseert hun 'driedimensionale transistor'-architectuur de stroomlekkage waardoor het verbruik nog verder daalt en data-integriteit verzekerd is.

Pas in het derde kwartaal komt de ddr3-productie van Hynix op stoom. Eerder kondigden geheugenfabrikanten als Buffalo, Super Talent en Corsair de komst van ddr3-producten al aan, de eerste ddr3-chipsets worden echter pas in het derde kwartaal van dit jaar verwacht. Volgens onderzoeksbureau iSuppli gaat ddr3 tegen het eind van 2008 een kwart van de dram-markt uitmaken en deze markt in 2010 domineren. Hynix lijkt overigens de koppositie van Samsung op het gebied van dram-productie over te nemen, constateert Gartner. De voorlopige omzetverwachtingen van het onderzoeksbureau geven aan dat het marktaandeel van Samsung is gedaald tot 25,5 procent, slechts 2,7 procent boven rivaal Hynix. De voorsprong van Samsung op de dram-markt is sinds 2000 niet zo klein geweest, toen Micron de koppositie bedreigde. Verantwoordelijk voor de stijging van de kwartaalomzet van zes procent van Hynix is volgens Gartner de continu stijgende productie van Hynix' nieuwe 300mm fabs in combinatie met de productieverschuiving van nand naar dram en de toegenomen productie op 80nm.

Lees meer over

Gerelateerde content

Alle gerelateerde content (29)
Moderatie-faq Wijzig weergave

Reacties (11)

Als ik me goed herinner heeft Intel 1333 Mhz FSB in de maak.. In hoeverre past dit geheugen bij die bussnelheid?
Als ik me goed herinner heeft Intel 1333 Mhz FSB in de maak.. In hoeverre past dit geheugen bij die bussnelheid?
Niet. Daarvoor heb je DDR3-1333 (PC3-10600) nodig, of natuurlijk langzamer geheugen dat tot deze snelheid is over te klokken.

Qimonda heeft al enkele PC3-10600 modules met daarop hun eigen -13G chips.
Later zal men doorschalen tot en met PC3-12800 (DDR3-1600). Zeer waarschijnlijk nog verder, maar dan valt het buiten de JEDEC-standaard.
En DDR3 krijgt geen dual-channel controllers?
Dat vraagt geen wijzigingen aan de geheugen latjes
Deze twee waarschijnlijk niet geweldig, maar gezien de standaard tot 1600 mhz gaat zouden de snellere varianten goed aan moeten kunnen sluiten bij de nieuwe Intel bussen (aankomend 1333 en 1600 bus).
Volgens Hynix minimaliseert hun 'driedimensionele transistor'-architectuur de stroomlekkage waardoor het verbruik nog verder daalt en de data-integriteit verzekert is.
Wat bedoelen ze hier nou weer meer :)?

Voor zover ik weet bestonden en bestaan transistoren uit halfgeleiders, welke weer bestaan uit atomen...en die zijn volgens mij altijd 3D :?
Ja, maar aangebracht op een plat oppervlak, 2d dus. Ik denk dat ze nu verschillende banen/lagen over elkaar gaan leggen oid?
Zonder plaatjes is er ook weinig van te begrijpen denk ik.

Ik gok dat ze met hun 3D transistor een FinFET bedoelen. Die zien eruit als een soort gekantelde normale FET. Bij het etsen van chips is op het moment eigenlijk alleen de oppervlakte van belang. De dikte gebruik je niet echt. Als je nu dus een transistor op z'n kant legt kan je hem kleiner maken.

Zie hier een voorbeeld van Freescale
@ slindenau:
volgens mij werken ze nu naast alleen in de hoogte en breedte, ook in de diepte.

http://www.intel.com/tech...icon/pix/tri_figure_2.gif

dit, denk ik dus
Volgens Hynix minimaliseert hun 'driedimensionele transistor'-architectuur de stroomlekkage waardoor het verbruik nog verder daalt en de data-integriteit verzekert is.
dt-foutje :P
Alleen 800 en 1066mhz modules in het derde kwartaal? Lekker dan... dus mensen die straks het nieuwe high end X38 board hebben van intel met een 1333 fsb (met ALLEEN maar DDR3 support... DDR2 support wordt gedropt op die boarden) kunnen dus geen fatsoendelijk bijpassend 1333mhz geheugen krijgen zodat het syncroon loopt met hun cpu...

Op dit item kan niet meer gereageerd worden.



Apple iOS 10 Google Pixel Apple iPhone 7 Sony PlayStation VR AMD Radeon RX 480 4GB Battlefield 1 Google Android Nougat Watch Dogs 2

© 1998 - 2016 de Persgroep Online Services B.V. Tweakers vormt samen met o.a. Autotrack en Carsom.nl de Persgroep Online Services B.V. Hosting door True