AMD heeft vandaag onverwacht bekendgemaakt dat het een vorm van strained silicon heeft geïmplementeerd in zijn 90nm-procédé. Het wordt daarmee naast zijn partner IBM het enige bedrijf dat silicon-on-insulator (SOI) en strained silicon tegelijkertijd toepast. Naast de 90nm-chips zullen ook nieuwe 130nm-chips die dit kwartaal uitkomen gebruik gaan maken van de combinatie. Beide technieken helpen het stroomverbruik van een chip te verminderen. SOI reduceert lekstroom en strained silicon zorgt ervoor dat er minder stroom nodig is om een transistor om te schakelen. Hoewel AMD tot nu toe weinig details heeft gegeven over zijn technologie, is duidelijk dat het een andere aanpak betreft dan die van Intel en IBM. In plaats van de hele wafer te behandelen met germanium om het siliciumkristal op te rekken, zou het gaan om een plaatselijke techniek. In hoeverre dit gevolgen heeft voor de prestaties of kosten ervan is onduidelijk.
