wolfmaniak meldt ons dat op EE Times een interessant artikel verschenen is, waarin een zeer nieuwe en geavanceerde methode beschreven wordt over het gebruik van Strained Silicon op SOI (Silicon On Insulator). Het schijnt dat het AmberWave Systems is gelukt om een proces te ontwikkelen, zonder gebruik te maken van een "relaxed" SiGe laag. Normaal dient deze wel te worden toegepast - als een gecombineerde laag van SiGe en Strained Silicon- op een SOI wafer. Hier zit ook het probleem, want de dikte van deze laag op zo'n wafer dient rond de 20 - 50 nm te zijn, en dit is zeer moeilijk voor elkaar te krijgen. AmberWave Systems heeft nu een proces ontwikkeld waarbij deze SiGe laag niet toegepast wordt; hij wordt eerst wel gebruikt, maar wordt later wegeëtst. Het schijnt dat AMD al bezig is met AmberWave om een SS-SOI proces op te zetten:
AmberWave is a spinout from the Massachusetts Institute of Technology, which offers a licensable form of strained-silicon technology. Advanced Micro Devices Inc. has confirmed that it is working with AmberWave on an SS-SOI process, and several other customers are using AmberWave's intellectual property for 130-nm strained-silicon devices fabricated at an unidentified foundry in Taiwan.