UMC heeft ook plannen voor strained silicon

Op enkele door UMC georganiseerde conferenties in Japan, Taiwan en de VS lieten ze hun gegevens zien over hun overstap op het 0,13 micron proces, het 0,09 micron proces en hun 12" fab. Maar dat was niet alles, ze lieten ook hun plannen zien voor de toepassing van strained silicium.

Strained silicium is niks anders dan een laag uitgerekt silicium die zich op een plak van silicium en germanium zit. De afzonderlijke atomen van strained silicium liggen hierdoor verder van elkaar af dan bij normaal silicium. Maar wat is hier nu het voordeel van? Een elektron dat van de ene transistor naar een andere vloeit, ondervindt weerstand in de vorm van de aanwezige silicium atomen. Een van de methoden om transistors sneller te maken is het kleiner maken van de transistors, bijvoorbeeld 0,9 micron in plaats van 0,13 micron. Hierdoor komen de transistors dichter bij elkaar te liggen en wordt de te overbruggen afstand kleiner en wordt de snelheid hoger. Bij strained silicium komt een elektron dat door het silicium vloeit minder silicium atomen tegen op zijn route en komt daardoor sneller op z'n plek van bestemming terecht. Elektronen kunnen in strained silicium tot 70% sneller bewegen wat zich in de praktijk vertaalt in een chip die ongeveer 35% sneller is.

Reacties (7)

[Mr_Big]

Zouden de chips op zich dan niet weer groter worden omdat deze worden "uitgerekt"? Aangezien er een bepaald aantal chips uit zo'n wafer kan, en dat aantal door dit uitrekken minder wordt, zal dit dan kunnen betekenen dat de chips duurder worden? Of wordt de wafer op zich ook groter bij gelijkblijvende kosten?
Toch wel interessant om te weten lijkt mij...

[MrFrans]

De chips zelf worden niet uit gerekt, maar een laag silicium. Hiermee wordt bedoelt dat er minder atomen silicium in de laag zitten.

[silentsnow]

Als ik het goed begrijp zorgt het Silicon-germanium metaal ervoor dat het aangrenzende Silicon deel uitgestrekt wordt. De afstand tussen de atomen in silicon-germanium is groter dan de afstand tussen de atomen in silicon. Dit komt doordat de eigenschappen van silicon-germanium anders zijn dan die van silicon. Denk hierbij oa aan de grootte van de atomen en electronegativiteit. De atomen aan het oppervlak van de silicon-germanium plak vormen een verbinding met de atomen aan het oppervlak van de silicon plak. Door het verschil in afstand in de silicon-germanium en silicon metaal worden de atomen in het silicon metaal uitgestrekt. Eveneens kan ik mij voorstellen dat de atomen in het silicon-germanium dichter bij elkaar komen te staan. Wellicht gebeurt dit laatste veel minder dan in het silicon metaal.

[P5ycho]

Niet lullig bedoeld hoor, maar het klok en klepel verhaal is hier denk ik wel van toepassing

[T.T.]

Een van de methoden om transistors sneller te maken is het kleiner maken van de transistors, bijvoorbeeld 0,9 micron in plaats van 0,13 micron

0,9 is toch echt groter dan 0,13
Zal wel 0,09 zijn?

[Verwijderd]

kvind het wel slim dat ze iig toch nog wta daaraan gaan doen. Want het is iig een oplossing om de warmte terug te dringen. Onze allergeliefde vijand. Kijk en als zon methode door veel bedrijven geburikt gaat worden dan word de produktie goedkoper. en kan het verder ontwikkeld worden. Kortom wat hier als een toekomst geschilderd word is strax uitgang voor verbetering. Dus dit is slechts een stapje in de richting. Die nog verder uitgewerkt kan worden. Kortom Vooruitgang is het devies