Op het International Electron Devices Meeting (IEDM 2002) te San Fransisco, doet AMD een aantal nieuwe technologieën uit de doeken die de R&D-afdeling ontwikkelt, en waarvan men gebruik wil gaan maken in het jaar 2005 en later, meldt Yahoo. Eén van die nieuwe technologieën betreft Fin Field Effect (FinFET) transistors. Deze transistors gebruiken een enkele verticale 'vin' waardoor twee 'gates' ontstaan, en die een grotere stroomsterkte toestaat waardoor de schakelkarakteristiek van de transistor wordt verbeterd. Dit met relatief eenvoudige productiemethodes. AMD demonstreerde in september als eerste bedrijf een werkende FinFET op een 10 nanometer procédé.
Een andere techniek betreft een nieuwe structuur van een flash-geheugencel. De nieuwe structuur gebruikt 'nanowires' gemaakt van polysilicon met afmetingen in het bereik van 5 nanometer. Op dergelijk kleine afmetingen vertonen de geheugencellen quantummechanisch gedrag, met snelheden van een hogere orde dan conventionele flash-geheugencellen. Deze technologie zou kunnen leiden tot een veel grotere geheugencapaciteit in flash-geheugen, met veel hogere snelheden, en een lager energieverbruik voor het lezen en schrijven van data.