Silicon Stragies schrijft dat Toshiba en Sony deze week een sterk verbeterde techniek voor chipproductie hebben aangekondigd. De techniek, die de circuits van de chips tot 65 nanometer (miljardste van een meter) kan verkleinen, moet het mogelijk maken chips te fabriceren die slechts één-vierde van de huidige grootte van embedded chips zijn. De bedrijven zullen met de techniek bovendien embedded DRAM en SRAM enorm klein kunnen fabriceren, waardoor 256-megabit geheugen op een enkele chip geïntegreerd zal kunnen worden.
De bedrijven stellen dat met de technologie, die het resultaat is van gezamenlijk ontwikkelen dat in mei 2001 begon, altijd toegang hebben tot informatie nog dichterbij brengt - dergelijke chips zullen tenslotte veel gebruik worden in mobiele telefoons en andere mobiele apparaten. Meer details over de techniek achter dit alles zullen gepresenteerd worden op de International Electron Devices Meeting in San Francisco die 9 december begint. De daadwerkelijke productie moet in maart 2004 beginnen, terwijl volgend jaar een aantal bedrijven reeds met 90 nm-productie hopen te kunnen starten:
Toshiba and Sony have utilized 65-nm process to fabricate an embedded DRAM with a cell size of 0.11um2, which will enable a 256-megabit memory to be integrated on a single chip. It also fabricated the world's smallest embedded SRAM cell of only 0.6um2. Fabricated with 193-nm lithography tools and phase-shift photomasks, the transistor is said to have switching speeds of 0.72-ps for NMOSFET and 1.41-ps for PMOSFET at 0.85-Volt (Ioff=100nA/um). The transistor makes use of a nitrogen concentration plasma nitrided, oxide-gate dielectrics to suppress gate leakage current. This optimization reduces leakage current approximately 50 times more efficiently than conventional silicon dioxide film and allows formation of an oxide with an effective thickness of only 1-nm. To reduce wiring propagation delay and power dissipation, a low-k dielectric material is adopted. The target effective dielectric constant of the interlayer dielectric is around 2.7.