In navolging van een aantal andere bedrijven als Intel, IBM en TSMC heeft nu ook AMD - in samenwerking met de Universiteit van Berkeley en de Semiconductor Research Corporation - een FinFET transistor ontwikkeld. Dit soort transistors maakt gebruik van twee gates, een systeem waarvan al een aantal jaar bekend is dat het gunstige eigenschappen op het gebied van stroomverbruik en vooral grootte heeft. Terwijl 130nm nu de standaard is, met 90nm als volgende generatie, is het mogelijk om FinFET transistors te bouwen die slechts 10nm groot zijn. Er wordt verwacht dat er nog zeker vier tot tien jaar nodig is om de technologie toe te kunnen passen op echte chips:
A double-gate transistor structure effectively doubles the electrical current that can be sent through a given transistor. AMD says its Fin Field Effect Transistor (FinFET) design relies upon a thin vertical silicon "fin" to help control leakage of current through the transistor when it is in the "off" stage. The design allows for the creation of new chips with enhanced performance at smaller sizes.
Daarnaast zijn er wat meer details bekend gemaakt over de samenwerking tussen AMD en UMC. De bedrijven ontwikkelen een 65nm procédé voor 300mm wafers, dat gebruikt moet worden in een nieuwe gezamelijke fabriek in Singapore die in 2005 open zal gaan.