Terwijl voor de meeste producenten van chips de overstap naar 0,09 nog ver weg is heeft TSMC een manier bedacht waarop transistors met een lengte van 0,009 micron kunnen worden gebouwd. Er zouden tienduizend van deze dingen op een rij moeten staan om de breedte van een enkele mensenhaar te kunnen vullen. Het gaat om een doorontwikkelde versie van de zogenaamde field-effect transistor (FET), een driedimentionaal ontwerp dat lijkt op de ruggevin van een vis. De truc is dat deze transistor twee gates heeft in plaats van één, zodat source en drain veel beter afgesloten worden van de rest van de chip. Hierdoor lekt minder stroom weg, en blijft de chip dus koeler. Het kleinste werkende exemplaar op dit moment is 0,035 micron groot, maar simulaties hebben aangetoond dat een bijna vier keer zo kleine uitvoering ook nog normaal moet kunnen werken. Er zal waarschijnlijk echter nog heel wat tijd overheen gaan voor men in staat is om deze techniek voor de massaproductie van chips toe te passen:
At the event, Chenming Hu, TSMC's chief tchnology officer, said that the silicon foundry giant has improved the FinFET, creating gate lengths below 25-nm (0.025-micron). Initial testing of the P and N type transistors revealed new performance records and compliance with the current and leakage targets set by industry roadmaps for transistor of this size.