Cookies op Tweakers

Tweakers maakt gebruik van cookies, onder andere om de website te analyseren, het gebruiksgemak te vergroten en advertenties te tonen. Door gebruik te maken van deze website, of door op 'Ga verder' te klikken, geef je toestemming voor het gebruik van cookies. Wil je meer informatie over cookies en hoe ze worden gebruikt, bekijk dan ons cookiebeleid.

Meer informatie

Samsung kondigt eerste met euv geproduceerde soc aan

Samsung heeft zijn eerste soc aangekondigd die het heeft geproduceerd met euv. De Exynos 9825 is een variant van de Exynos 9820. De nieuwe soc komt vermoedelijk in de Galaxy Note 10-serie, die Samsung woensdag presenteert.

Samsung was in oktober vorig jaar begonnen met de productie met euv-lithografie, maar had tot nu toe geen soc aangekondigd met de techniek. De Exynos 9825 is volgens Samsung dankzij het nieuwe 7nm-procedé met euv zuiniger zijn dan de voorgaande Exynos 9820 die Samsung maakt op 8nm met traditionelere lithografie. Het verschil is dat euv werkt met extreem ultraviolet licht voor de lithografie. Dat heeft een kortere golflengte, waardoor het produceren van kleinere transistors goedkoper is dan met het licht van lasers.

Processorfabrikanten zijn al jaren bezig met de implementatie van euv in de productie van processors. Het is geen noodzaak om chips op 7nm te maken met euv. Zo maakt TSMC sinds een jaar processors op 7nm zonder euv. Die Taiwanese fabrikant komt dit jaar echter ook met een verbeterde versie van zijn 7nm-procedé met euv.

Behalve het procedé verschilt de 9825 nauwelijks van de 9820. Beide zijn octacores met twee Samsung M4-kernen, twee Cortex A75-kernen en vier Cortex A55-kernen. Daar stopt Samsung een ARM Mali G76MP12-gpu bij en ook zit er een aparte kern bij voor berekeningen in neurale netwerken. Het ingebouwde Shannon 5000-modem ondersteunt geen 5g, maar wel 4g via lte cat 20, met verbindingen op acht frequenties tegelijk voor een maximale downloadsnelheid van 2Gbit/s. Dat is hetzelfde modem als in de Exynos 9820.

De nieuwe soc komt vermoedelijk in de Galaxy Note 10-serie. Samsung houdt woensdagavond Nederlandse tijd een evenement voor de aankondiging van nieuwe smartphones. Het is voor het eerst in jaren dat de Note een nieuwe soc heeft ten opzichte van de Galaxy S-telefoon van hetzelfde jaar.

Door Arnoud Wokke

Redacteur mobile

07-08-2019 • 08:59

30 Linkedin Google+

Reacties (30)

Wijzig sortering
"Also, it's possible to reach small features without using EUV. This is done by doing multi-patterning (exposing the same part of the wafer multiple times, to get a similar result in the end) with DUV machines. This requires more time, so the throughput of conventional ArF photo lithography machines goes down by a lot. Using EUV photo lithography you can get the same features, but with a single exposure. So even though EUV machines are generally slower (~150 wafers per hour max) than their DUV counterparts (300+ wafers per hour), a gain can be made when using EUV, because DUV with multipatterning can easily drop below 100 wafers per hour. Throughput is everything in photo lithography!"

Interessant stukje tekst dat ik laatst las over waarom EUV belangrijk is voor de toekomst van low cost manufacturing van klein procedee chips.

source: https://www.reddit.com/r/...months/etil0wc/?context=3
Ik wil hier een aantal kleine nuances bij plaatsen.

De lagen waar we het hier over hebben zijn rechte lijntjes die later "doorgezaagd" worden om de benodigde structuurtjes te genereren.

Als we naar een bepaalde node kijken van een manufacturer dan kunnen we EUV met DUV vergelijken. We sluiten dan het feit uit dat multipatterning in essentie altijd resolutie gelimiteerd wordt t.o.v. EUV door de gebruikte frequentie die bij DUV lager ligt en dus uiteindelijk dunnere lijnen kan schrijven.

Dus voor een node EUV vs. DUV kun je een voordelen vs. nadelen afschatting maken (high level):

EUV vs. DUV:
- 1 pass vs. multiple passes
- Higher line density vs. lower line density
- High machine cost vs. low machine cost
- High support cost vs. low support cost
- High supplies costs vs. low supplies costs
- Lower cleanroom space costs vs. Higher cleanroom space cost
- Lower yield vs. higher yield
- High marketing value vs. low marketing value

Uiteindelijk kijkt een manufacturer simpelweg naar de kosten per die ("chip") die gemaakt worden, throughput is daar een belangrijk onderdeel van maar ver van de enige.
We sluiten dan het feit uit dat multipatterning in essentie altijd resolutie gelimiteerd wordt t.o.v. EUV door de gebruikte frequentie die bij DUV lager ligt en dus uiteindelijk dunnere lijnen kan schrijven.
Die zin loopt niet lekker en snap ik niet

Bovendien zijn de EUV machines groter --> hogere cleanroom space cost dan DUV, niet andersom.

En ik vraag me ook af wat je bedoelt met 'marketing value'
Ja, dat is niet mijn beste proza. Wat ik bedoel is dat EUV gebruikt kan worden voor kleinere lijntjes dan DUV wat een vergelijking krom kan trekken.

Voor vergelijkbare throughput neemt een EUV machine minder cleanroom en subfab ruimte in beslag.

EUV heeft een marketing waarde t.o.v. DUV voor manufacturers, zeggen dat iets met EUV gemaakt wordt maakt een product meer waard.
Bedankt voor de toelichting.

EUV kan in theorie kleinere features schrijven, want kortere golflengte, klopt. Maar omdat ze met DUV multiple patterning toepassen, kunnen beide technieken de 7nm node aan.

En je bedoelt dat je voor vergelijkbare troughput met DUV meer machines nodig hebt? Dus voorbeeld: triple patterning nodig met DUV --> van 300 wph naar 100 wph (minder nog, want overhead, maargoed). Met EUV heb je maar 1 laag nodig. Dus dan zou je 2 DUV machines nodig hebben om de EUV troughput te matchen?

Ik vraag me ten zeerste af of een product met EUV meer waard is dan eentje met DUV. Vraag je ouders maar eens of ze extra willen betalen voor een EUV chip... Die hebben waarschijnlijk geen idee waar je het over hebt...
Bedankt voor de toelichting.

EUV kan in theorie kleinere features schrijven, want kortere golflengte, klopt. Maar omdat ze met DUV multiple patterning toepassen, kunnen beide technieken de 7nm node aan.
Daarom mijn opmerking om op een node te vergelijken voor de eerlijkheid. DUV kan kleiner schalen door gebruik van multiple patterning echter veel van de kosten per die hangen natuurlijk sterk af van de hoeveelheid stappen die je nodig hebt.

Ook houd ik de vergelijking high level want als je dieper op de zaken in gaat dan dien je bijvoorbeeld ook rekening te houden met de extra ruimte die bijvoorbeeld de extra track capaciteit, metrology setups, etc nodig hebben maar bijvoorbeeld ook de winst in de overhead vermindering van de metrology stap van het scannen bij multiple patterning.
En je bedoelt dat je voor vergelijkbare troughput met DUV meer machines nodig hebt? Dus voorbeeld: triple patterning nodig met DUV --> van 300 wph naar 100 wph (minder nog, want overhead, maargoed). Met EUV heb je maar 1 laag nodig. Dus dan zou je 2 DUV machines nodig hebben om de EUV troughput te matchen?
Klopt, uiteindelijk zal het een verhouding zijn van 1 EUV tool vs. 1.7 DUV tools voor double patterning, 2.3 DUV tools voor triple patterning, etc. Met de opmerking dat de werkelijke getallen per manufacturer verschillen en alleen bij de manufacturer bekent zijn.
Ik vraag me ten zeerste af of een product met EUV meer waard is dan eentje met DUV. Vraag je ouders maar eens of ze extra willen betalen voor een EUV chip... Die hebben waarschijnlijk geen idee waar je het over hebt...
Ik kan het niet mooier maken, maar net als "sex sells" waar is en Nederlands kraanwater beter is dan menig flesje's bronwater inhoud verkoopt innovatie ook of het nu werkelijk beter is of niet.
Die nummers kloppen niet. DUV zit nog onder de 300 wafers per uur, zit er wel dicht tegenaan overigens met 285 wph. Die grens wordt snel genoeg beslecht.
Verder haalt de NXE3400B maar 125wph.

Dit zijn trouwens de specs die ASML verkoopt. De klant gebruikt de machine vaak iets anders (hogere dosis, meerdere reticles, lot correcties etc..). Dus in realiteit ligt de throughput lager. Dacht ergens gelezen te hebben dat het laatste record op ~6500 wpd stond, wat dus 270 wph betekend. Dit wordt trouwens alleen door Memory fabrikanten gehaald. Voor Memory is througput inderdaad de belangrijkste KPI, voor logic zijn Overlay en Focus net zo dan wel niet belangrijker dan throughput.
Op dit moment wordt alleen nog maar de 3400C verkocht en die heeft een hoogte throughput. O.a door meer source power
De 3400C die nu verkocht wordt heeft nog de source van de 3400B.
Ik ben wel benieuwd hoe tsmc dan processoren maakt op 7nm ik dacht dat dat onmogelijk was zonder euv. Hoe werkt dat?
Multi patterning, dus je schiet eerst bijvoorbeeld 75% van de benodigde dosis te veel naar links, en dan 75% van de dosis te veel naar rechts. Het resultaat is dat je in het middel 150% van de benodigde dosis hebt en op de randen 75%. Hierbij is het wel kritisch dat je overlay (hoe goed je een wafer op exact de zelfde plek kan exposen) zodanig is dat je die afstanden haalt.

Wil je een lijntje tekenen van 1 nm, terwijl je stift 5 nm is, dan moet je overlay dus wel binnen die 1 nm zitten, anders wordt je lijn her en der breder.

Het is eigenlijk alsof je met een text marker twee lijnen zet die een klein beetje overlappen. Het overlappende deel is dan multi patterned.
Ter aanvulling: dat werkt dan vooral omdat de "donkerste" delen van de lijn worden weggehaald later met chemische middelen. Dus het deel waar je stift overlapt wordt dan volledig weggehaald en de lichte delen ernaast blijven voldoende "heel" om geen lijntje te worden.
Dat is niet helemaal waar. Er zit niet echt een limiet op hoe klein je de lijntjes kan maken, maar wel op hoe dicht je ze bij elkaar kan zetten. Als je de lijntjes dichter bij elkaar wil schrijven, dan schrijf je met DUV bijvoorbeeld eerst de eerste, derde, vijfde, zevende, etc lijntjes. Dan ga je die helemaal ontwikkelen. Vervolgs ga je in de volgende stap de lijntjes ernaast schrijven, dus de tweede, vierde, zesde, enzovoort. Dan heb je nog steeds een kleine lijnbreedte (critical dimension) en de lijntjes dicht op elkaar (pitch), maar staan de lijntjes bij elke afzonderlijke stap twee keer zo ver uit elkaar. Met EUV kan je de even en oneven lijntjes direct in één stap schrijven.
Laatste keer dat er een andere soc in de note zit ten opzichte van de S sinds de galaxy s5 (snapdragon 801) en note 4 (snapdragon 805) als ik het goed heb. Qualcomm heeft nu ook de snapdragon 855+, en ze hadden een kleine upgrade van de 820 naar de 821, maar bij de 835 en 845 hadden ze geen kleine upgrade na een half jaar. Vraag ik mij toch af waarom de ene keer wel, de andere keer niet.

Voor samsung is het nu duidelijk, nieuwe euv techniek. Maar zoiets was niet het geval bij de qualcomm revisies.
Ik blijf het toch opmerkelijk vinden dat Samsung elk jaar weer moet terugvallen op Qualcomm chips, ook al maken ze al jaren hun eigen SoCs. Waarom telkens je concurrent blijven spekken?
Aangezien er weinig of geen Samsung soc's in niet-Samsung apparaten zitten, is Qualcomm niet echt een directe concurrent. Het is meer een kwestie tussen inkopen bij een derde of zelf maken. De soc's die ze zelf maken kunnen ze wat naar eigen wens tweaken, terwijl ze van Qualcomm af moeten nemen wat ze beschikbaar hebben.

Daarnaast is het ook een kwestie van schaal en capaciteit. Stel ze hebben per jaar 10 miljoen soc's X nodig en 10 maal een miljoen verschillende andere soc's. Dan kan het zelf maken van de soc's X en de rest inkopen goedkoper zijn dan tegen hoge kosten de eigen capaciteit uitbreiden om relatief kleine runs van de andere soc's te kunnen maken.
Denk niet dat een kwestie is van moeten maar gewoon wat het meest oplevert voor Samsung, door te besparen op dure licenties of door meer capaciteit te hebben voor chips van 3de om zelf goedkoper chips in te kopen en dus netto meer aan te verdienen...

Vergeet niet dat Samsung ook zo nu en dan de chips bakt voor Qualcomm.
Dat valt of staat denk ik met of dat uberhaubt wel beschikbaar is, uiteindelijk koop Samsung die chips in (extern of intern), dus ja als het er niet is kan je het er ook niet in stoppen.
7 nm. Jemig. Zo klein. Onvoorstelbare kleine atomische afstanden. De grens van Moore's wet in de alledaagse praktijk. Ik ben nieuwsgierig of er meer verhalen zullen komen over rare prestaties door quantum onregelmatigheden bij deze 7nm processor. Het is nieuw en we eigenlijk nog weinig over de prestaties en problemen. Ik denk dat er meer problemen komen als het kleiner wordt. Dat is onvermijdleijk, laat staan de hoge ontwikkelingskosten. Telefoons worden gewoon duurder.
Vergeet niet dat 7nm niet zoveel te maken heeft met de grootte van de features op de chip. Het is slechts een naampje. Op wikipedia (https://en.wikipedia.org/wiki/7_nanometer) kan je lezen dat de transistor gate pitch (pitch is de afstand tussen twee herhalende features, bijvoorbeeld tussen twee lijnen) 54 nanometer is, terwijl de fin pitch 27 nanometer is. Het is dus wel klein, maar niet zo klein.

Ook wil ik even toevoegen dat de eigenschappen van transistors puur kwantummechanisch bepaald zijn, ongeacht hoe groot je ze maakt. Materiaaleigenschappen zoals geleiding en bijvoorbeeld kleur kan je absoluut niet verklaren zonder kwantummechanica.

Ik vind het lastig om te interpreteren wat je bedoelt met kwantum-onregelmatigheden, maar echte expliciete uitingen van kwantummechanica zie je alleen bij echt lage temperaturen, dus bij microkelvins. Echte kwantumeffecten (uitgezonderd bijvoorbeeld tunnelstroom) zal je dus waarschijnlijk nooit zien bij telefoonprocessors.
Ik meen onlangs een praatje van Neil deGrasse Tysen te horen dat het probleem met het kleiner worden van de transitoren kleiner dan 10 nm is arc-en van stroompjes, waardoor kan op kortsluiting toeneemt en dus processen verstoord raken. We hebben nu te maken met flinterdunne afstanden tussen stroompjes op de nanoschaal. Ten tweede begreep ik dat de kans op quantum effecten kunnen ontstaan, bijvoorbeeld met de kwantum theorie dat een deeltje op twee plaatsen tegelijk kan zijn. Dit kan soms leiden tot functionele problemen met de processor.
Dat kan ik me tot op een zekere hoogte wel voorstellen. Er staat een spanning van ~1 volt over 10 nanometer. Dat zorgt voor een enorm hoog elektrisch veld, wat voor een stroomdoorslag kan zorgen. Echter denk ik wel dat als je de transistors kleiner maakt, de spanning ook wel weer een stuk omlaag kan, wat het weer compenseert.

Verder denk ik niet dat het feit dat een deeltje uitgesmeerd kan zijn over de ruimte de werking van de transistor verstoort. Sterker nog, onze materiaaltheorie heeft juist nodig dat de elektronen allemaal uitgesmeerd zijn over het hele kristalrooster. De elektronen zijn dus niet gelokaliseerd. Op het moment dat de weerstand van de transistor in de uit-stand veel groter is dan zo'n 11 kOhm, ofwel één G0 (het kwantum van geleiding), is het redelijk duidelijk of de elektronen aan één kant of aan de andere kant van de transistorgate zijn.
Dat is het enige bedrijf dat EUV machines maakt voor zover ik weet, dus ja. :)
Jazeker! Overigens worden alleen een aantal "kritische" lagen met een EUV machine gedaan. Het meerendeel van de lagen gaat nog "gewoon" met DUV. En dit zal ook in de toekomst zo blijven.
Jammer om te lezen dat de verschillen onderling erg klein is. Het is wel fijn dat het om 7nm procédé gaat. 8K opnemen is erg mooi een stapje vooruit voor de toekomst. Ik lees niks helaas over 5G ondersteuning
8K of 5G hebben hier eigenlijk niks mee te maken, dat is maar net wat je 'bakt' met deze techniek.

Dit gaat om de 'manier van bakken'. Of ze er 12G of 3.000.000K van maken, staat er los van
Het Euv is juist duuder licht om te maken.
Dat er meer op een waffer past en in 1x ipv meerdere keren maakt het goedkoper.
Niet de golflengte.
Maar het feit dat je nu je patroon in één keer kan schrijven in plaats van in meerdere keren komt wel door het gebruik van straling met een golflengte van 13.4 nanometer in plaats van 193 nanometer. Daarmee is netto het gebruik van EUV dus wel goedkoper per wafer.


Om te kunnen reageren moet je ingelogd zijn


OnePlus 7 Pro (8GB intern) Nintendo Switch Lite LG OLED C9 Google Pixel 3a XL FIFA 19 Samsung Galaxy S10 Sony PlayStation 5 Gamescom 2019

'14 '15 '16 '17 2018

Tweakers vormt samen met Tweakers Elect, Hardware Info, Autotrack, Nationale Vacaturebank, Intermediair en Independer de Persgroep Online Services B.V.
Alle rechten voorbehouden © 1998 - 2019 Hosting door True