Micron introduceert een nieuwe reeks HBM3E-geheugenchips. Deze bestaan uit twaalf lagen in plaats van acht. Daarmee hebben ze een hogere capaciteit van 36GB. De bandbreedte bedraagt opnieuw 'meer dan 1,2TB/s'.
Micron bevestigt dat de nieuwe HBM3E 12-high-modules worden geleverd aan klanten. Doordat het aantal lagen van de geheugenchips is verhoogd naar twaalf, hebben de chips een 50 procent hogere capaciteit dan hun voorgangers met acht lagen. Voorgaande HBM3E-chips hadden een capaciteit van 24GB, maar dat wordt met de nieuwe modules dus verhoogd tot 36GB.
De Amerikaanse geheugenfabrikant zegt daarnaast dat de bandbreedte ruim 9,2Gbit/s per pin bedraagt. Op een hele module, die bestaat uit 1024 pinnen, komt dat neer op ruim 1,2TB/s, zegt de fabrikant. De bandbreedte lijkt daarmee ongewijzigd ten opzichte van de bestaande HBM3E 8-high-modules van het bedrijf.
HBM, ofwel High Bandwidth Memory, is een geheugentype dat vooral wordt gebruikt in videokaarten. Het geheugen heeft een relatief hoge bandbreedte en wordt tegenwoordig vooral ingezet in datacenters. Dat geldt ook voor de HBM3E-modules van Micron, die bijvoorbeeld worden gebruikt in Nvidia's H200-gpu's voor datacenters.