GlobalFoundries, de begin 2009 van AMD afgesplitste chipfabrikant, zegt een belangrijke technologische mijlpaal te hebben bereikt voor de fabricage van halfgeleiders op 22nm. Dat zou zijn gelukt dankzij een samenwerking met IBM.
GlobalFoundries deed de aankondiging bij monde van zijn technologie- en onderzoekshoofd Gregg Bartlett. Hij liet de aanwezigen op het VLSI-symposium voor chipfabrikanten in de Japanse stad Kyoto weten dat zijn bedrijf een belangrijke technologische doorbraak heeft weten te bereiken voor de overstap naar de productie van 22nm-chips. Op dit moment is een feature-size van 45nm gangbaar. GlobalFoundries zegt de productiemoeilijkheden van de high-k metalgate-transistors voor het 22nm-procedé het hoofd te kunnen bieden.
De gate, de 'schakelaar' van transistors, wordt gemaakt van zogeheten high-k halfgeleidermateriaal, een alternatief voor siliciumoxide. Dit materiaal heeft een hogere diëlektrische constante dan siliciumoxide, maar naarmate de gate kleiner wordt, treden grotere lekstromen op. Om de transistors correct te kunnen aansturen is het noodzakelijk de eot van het high-k materiaal te vergroten. GlobalFoundries zegt daarin geslaagd te zijn, een doorbraak die mogelijk werd gemaakt dankzij een samenwerking met IBM. De productiemethode levert transistors op die lage lekstromen vertonen, lage stuurspanningen vergen en bovendien weinig warmte ontwikkelen.