De halfgeleiderdivisie van Toshiba heeft naar eigen zeggen een doorbraak bereikt voor de productie van chips met een 16nm-procedé. Het bedrijf wil germanium-halfgeleidermateriaal voor de transistors gebruiken.
De chipontwerpers van het Japanse bedrijf willen de procestechnologie voor de productie van chips de komende jaren tot 16nm laten slinken. Het gebruikelijke materiaal voor de gates van 'metal-insulator-semiconductor field-effect transistors' of misfets bestaat uit silicium, maar naarmate de afmetingen kleiner worden, kan niet voldoende stroom door de misfets gestuurd worden. Germanium zou, vanwege een grotere elektronenmobiliteit, bij deze kleinere transistors wel een geschikt halfgeleidermateriaal zijn, maar het gebruik hiervan is niet zonder problemen. Wanneer germaniumdioxide wordt gebruikt, speelt de lage diëlektrische constante van GeO2 de transistors parten.
De equivalente oxide-dikte of eot, een maatstaf voor de efficiëntie van het gebruikte high-k-materiaal, is bij het inzetten van germaniumdioxide nog altijd meer dan de 0,5nm die bij het 16nm-procedé vereist is. De oplossing van Toshiba bestaat uit het gebruik van een dunne laag SrGex, een legering van strontium en germanium, tussen de high-k-isolatielaag en de germanium-channellaag. Dankzij dit laagje blijft de de hoge mobiliteit van de halfgeleider gehandhaafd en kan de eot voldoende klein worden gemaakt voor gebruik in een 16nm-productieprocedé.