Samsung start eind 2025 met de massaproductie van HBM4-geheugen, meldt The Elec op basis van bronnen. De Zuid-Koreaanse techgigant zou eind dit jaar de tape-out bereiken. Dit betekent dat het ontwerp en de productiemethoden dan zijn afgerond.
Voor de productie gebruikt Samsung zijn eigen 4nm-procedé voor de logicdies, gecombineerd met 10nm-zesdegeneratie-1c-dram voor de geheugendies. Deze combinatie is bedoeld om de prestaties van het geheugen verder te optimaliseren. De eerste testproducten worden begin volgend jaar verwacht, zegt The Elec, waarna verdere verbeteringen zullen worden aangebracht voordat het product op grote schaal wordt geproduceerd.
HBM4 wordt verwacht een cruciale rol te spelen in toekomstige AI-producten, waaronder Nvidia's Rubin-architectuur en AMD's MI400-serie. Concurrent SK hynix werkt naar verluidt ook aan HBM4 en overweegt eveneens de inzet van 1c-dramtechnologie. De tape-out voor SK hynix' HBM4 wordt verwacht in de tweede helft van volgend jaar. Het bedrijf zou TSMC's 5nm- en 12nm-procedé inzetten voor de logicdies.