Medewerkers van het in Leuven gevestigde onderzoeksinstituut Imec hebben transistors gebaseerd op nanodraden gemaakt waarbij de gate de nanodraad volledig omsluit. Dit transistortype zou een goede kandidaat zijn voor chipproductie op 5nm.
De nieuwe transistors, die gaa-nwfets genoemd worden, kunnen zowel horizontaal als verticaal geproduceerd worden. Gaa-nwfets is een afkorting van gate all around nanowire field effect transistors. Ze kunnen met eenvoudige stappen geproduceerd worden en bieden goede elektrische eigenschappen, zoals weinig ruis, en dankzij hun ontwerp, zonder junctions, zijn ze eenvoudig en robuust te produceren. Bovendien zouden ze lage lekstroom hebben, een eigenschap die in trigate-transistors al voor flinke energiebesparingen zorgt. Veel transistors maken gebruik van junctions, of overgangen, tussen negatief en positief geladen halfgeleiders, zogenaamde np- of pn-junctions.
De nanodraden in de gaa-nwfets worden middels doteren en het regelen van afmetingen getuned voor de gewenste prestaties. Zo kunnen ze niet alleen voor processors en geheugen ingezet worden, maar ook voor analoge en rf-toepassingen. Voor gebruik in sram-cellen hebben de Imec-onderzoekers een nieuwe structuur bedacht, waarbij twee opeengestapelde verticale transistors met dezelfde channel-dotering gebruikt worden. Dat zou de afmetingen van sram-cellen met 39 procent kunnen verkleinen ten opzichte van traditionele opbouw, wat hogere dichtheden mogelijk zou maken. Zowel de horizontale als verticale transistors kunnen samen op een 300mm siliciumwafer gemaakt worden.
De evolutie van planar naar gate all around-transistors