Wetenschappers van de TU Delft hebben een methode gevonden om erachter te komen of een masker en wafer goed zijn uitgelijnd. Hun bevindingen zijn van belang voor de chipproductie en kunnen helpen het overlay problem te verminderen.
Fabrikanten van chips hebben in toenemende mate met het overlay-probleem te maken. Bij de huidige lithografietechnologie van de chipproductie schijnt licht door een masker op een wafer om de patronen aan te brengen. Fabrikanten moeten op steeds kleinere schaal structuren beschrijven op de wafer, waardoor de noodzaak toeneemt om het masker en de wafer perfect uit te lijnen en minuscule afwijkingen te registreren met metrologiesystemen.
De uitlijning is tot op nanometers te corrigeren met behulp van het zogenaamde piëzo-elektrische effect. Materialen zetten hierbij zeer precies uit op basis van blootstelling aan een elektrische lading. Toch is deze correctie niet feilloos. "Wanneer het platform heen en weer beweegt ten opzichte van het masker, is er een onzekerheid van enkele nanometers", aldus Zheng Xi van Imaging Physics van de TU Delft.
Xi en zijn collega's hebben daarom een methode bedacht om afwijkingen in de uitlijning zeer precies te achterhalen. Ze gebruiken een lichtbundel met een zwarte stip in het midden. Deze straal moet tussen twee nanorods van goud gericht worden, die als markering boven op een masker geplaatst zijn. Vervolgens is de elektromagnetische straling van het veld dat ontstaat, aan weerszijden te meten. Bij beweging van het masker verandert de verhouding, waardoor de mate van verandering precies te berekenen is.
Zheng Xi en zijn team beschrijven de simulaties die ze hebben uitgevoerd in de paper Accurate Feeding of Nanoantenna by Singular Optics for Nanoscale Translational and Rotational Displacement Sensing, dat begin september verscheen in Physical Review Letters.