Het imec heeft, samen met onderzoekers van UGent, een methode ontwikkeld om lasers te integreren op siliciumwafers. Daarmee zou de productie van silicon photonics, een combinatie van optische communicatie en transistortechniek, eenvoudiger en goedkoper worden.
Het integreren van halfgeleiders die geschikt zijn voor lasers, op hetzelfde siliciumsubstraat dat gebruikt wordt voor halfgeleiders voor onder meer processors is zeer lastig. De kristalstructuur van laser-halfgeleiders komt niet overeen met die van het silicium, waardoor extra stappen nodig zijn om eerst een compatibiliteitslaag aan te brengen. Onderzoekers van het imec, een internationaal onderzoekscentrum dat onder meer in het Belgische Leuven actief is, hebben samen met onderzoekers van de universiteit van Gent een methode ontwikkeld om dat proces te vereenvoudigen.
Ze maakten gebruik van siliciumwafers waarop een patroon van siliciumoxide was aangebracht waarop het laser-halfgeleidermateriaal kon 'groeien'. Dat halfgeleidermateriaal, indiumfosfide, werd als damp opgebracht waarbij het voorgeëtste patroon als houvast diende. Voor de laserwerking werden roosters in de waveguides van het indiumfosfide geëtst. Door de roosters te variëren kon de golflengte van de lasers ingesteld worden en tijdens tests bleken de lasers uniform te functioneren. Op deze manier werden op een volledige 300mm-wafer van silicium met behulp van standaard cmos-productiemethoden InP-lasers gebouwd.
Het onderzoek zou de weg banen voor grootschalige en goedkope productie van lasers op siliciumwafers. Dergelijke lasers kunnen dan met cmos-structuren als processors of signaalverwerkers gecombineerd worden, zodat de lasers direct met elektrische pulsen bediend worden. Daarmee zouden optische chips gerealiseerd kunnen worden, waardoor optische datacommunicatie sneller kan verlopen en zelfs binnen computers met optische in plaats van elektrische signalen gecommuniceerd kan worden.