Het Belgische onderzoeksinstituut Imec heeft tijdens een bijeenkomst over chipontwikkeling in Kyoto transistors getoond die op 7nm geproduceerd kunnen worden. De transistors zijn een doorontwikkeling van de finfet-technologie die bij 22nm debuteerde.
Tijdens het VLSI 2015 Symposium in de Japanse stad Kyoto liet Imec twee transistortypen zien die voor de 7nm-node ingezet kunnen worden. Onderzoekers toonden transistors met channels van siliciumgermanium, waarbij de gates gevormd worden door een proces dat RMG-HK genoemd wordt. Ze produceerden ook transistors die niet met finfets, maar met channels van nanodraden met de gate eromheen gewikkeld werken. Daarbij wordt een laagje silicium opgeofferd om plaats te maken voor een gate die rondom de channels ligt. Dat moet, net als bij finfet-gates, voor een groter oppervlak van gates zorgen om zo snellere, kleinere en zuiniger transistors te realiseren.
De GAA-techniek werd zowel op een cmos-proces als op een soi-proces gedemonstreerd. Daarnaast lieten de Imec-onderzoekers finfets zien waarvan de gate-vinnen gevormd werden door een combinatie van self-alignment en double patterning. Deze waren voorzien van quantum wells van strained germanium. Dat zou leiden tot betere prestaties: in het lab zouden die transistors 40 procent meer stroom kunnen schakelen dan eerdere strained germanium-transistors.
De nieuwste transistors van dit moment worden op 14nm geproduceerd, terwijl rond 2016 de 10nm-node moet volgen. Transistors die volgens een 7nm-procedé gemaakt worden zouden daar weer op moeten volgen. Huidige technieken kunnen echter niet zonder meer verkleind worden, reden voor onder andere het Imec om naar alternatieven te zoeken. Het Belgische onderzoeksinstituut doet dat niet alleen: diverse chipfabrikanten en ontwerpers werken samen met het in Leuven gevestigde instituut. Het internationale onderzoeksinstituut heeft ook Taiwanese, Chinese en Nederlandse takken: die laatste is onderdeel van het Holst Centre.