Onderzoeksinstituut IMEC toont de resultaten van de inzet van single patterning euv-belichting om patronen voor de 5nm-node op wafers aan te brengen. Bij zowel logic als dram zijn de resultaten volgens IMEC veelbelovend.
IMEC toont afbeeldingen van de met euv-machines in een enkele keer aangebrachte lijnen en gaten op structuren voor de 5-nanometernode. Daarbij maakt het details van het procedé deze week bekend, tijdens het jaarlijkse evenement van de International Society for Optics and Photonics, of SPIE. Volgens het instituut zijn de elektrische eigenschappen van de structuren veelbelovend.
Het Belgische instituut beschrijft dat euv naar verwachting gebruikt gaat worden voor de massaproductie van 7nm-processors, voor de metalen contactlijnen met een pitchlengte van 36 tot 40nm. IMEC zelf richt zich op de volgende generatie, de 5nm-node met een pitchlengte van 32nm.
Vorig jaar presenteerde IMEC de vorderingen op dit gebied met hybride multipatterning. Hierbij worden de wafers meer dan eens belicht en wordt euv met immersielithografie gecombineerd voor kritische lagen. Een enkele belichting met euv levert de chipindustrie aanzienlijke tijdbesparingen en daarmee lagere kosten op.
Voor de 5nm-resultaten heeft IMEC met zijn partners optimalisaties doorgevoerd bij onder andere de fotoresistlaag, optische correctie, het masker en postprocessing. De chipindustrie maakt zich intussen op voor gebruik van euv-machines voor de 7nm-chips en latere generaties. Samsung maakte vorig week bekend een euv-lijn van machines gereed te maken in zijn Hwaseong-fab in Zuid-Korea. Deze moet in de tweede helft van 2019 gereed zijn en in 2020 de massaproductie beginnen.
Vlnr: single patterning van een 5nm-node met euv van een 32nm metal-2-laag, 32nm pitch-lijnen, 40nm hexagonale contactgaten en 40nm 'pilaren'