Cookies op Tweakers

Tweakers maakt gebruik van cookies, onder andere om de website te analyseren, het gebruiksgemak te vergroten en advertenties te tonen. Door gebruik te maken van deze website, of door op 'Ga verder' te klikken, geef je toestemming voor het gebruik van cookies. Wil je meer informatie over cookies en hoe ze worden gebruikt, bekijk dan ons cookiebeleid.

Meer informatie

Imec verkleint sram met transistors op basis van verticale nanowires

Imec heeft surrounding gate transistors op basis van verticaal geplaatste nanowires met goede elektrische eigenschappen gemaakt. Met de transistors kan imec de kleinste sram-cellen tot nu toe fabriceren.

De omvang van een 6T sram-cel met de surrounding gate transistors zou tussen 0,0184 en 0,0205 vierkante micrometer liggen. Het ontwerp is gericht op gebruik van een 5nm-node, maar heeft goede eigenschappen wat betreft de afstand tussen de verticale nanodraden: die bedraagt 50nm.

De surrounding gate transistors zijn met name geschikt voor sram, geheugen dat in tegenstelling tot dram geen verversing nodig heeft en dat in de cache van cpu's zit. De omvang van de 6T sram-cellen is gebaseerd op het oppervlak van de bitcellen van static random-access memory, bestaande uit zes transistors. Sram is duur en beperkt van van omvang, iets waar de vinding van imec in de toekomst wellicht verbetering in aan kan brengen.

Bij de surrounding gate transistors zit de gate volledig om het channel heen, wat volledige controle over het channel mogelijk maakt. De verticale in plaats van horizontale plaatsing zorgt er nu voor dat de omvang en oppervlak afnemen, wat een lager verbruik en hogere snelheden binnen handbereik maakt.

Voor processors, oftewel logic, is het nieuwe type transistor niet geschikt. Voor processors is de halfgeleiderindustrie wel op zoek naar een alternatief voor finfets. De prestatie van finfets gaan namelijk achteruit bij verdere verkleining van de vinnen, vanwege het kleinere contactoppervlak tussen gate en channel. Met name bij 3nm gaat dit spelen. Om een enkele finfet te vervangen met behoud van prestaties, zouden echter drie surrounding gate transistors nodig zijn, wat de winst op het gebied van oppervlak hier alweer teniet doet. Imec ziet hier meer toekomst in het gebruik van alternatieve materialen voor finfets, nanosheets in plaats van nanowires en iets wat het instituut complementary fets noemt.

Imec voerde het onderzoek uit met het Singaporese bedrijf Unisantis, dat de surrounding gate transistors heeft uitgevonden. Het instituut en het bedrijf maakten de vorderingen bekend tijdens het Imec Technology Forum, dat deze week in Antwerpen plaatsvindt.

Door Olaf van Miltenburg

Nieuwscoördinator

23-05-2018 • 18:56

4 Linkedin Google+

Reacties (4)

Wijzig sortering
Graag doorontwikkelen tot vervanger van dram! :)
Een DRAM cel is 1 transistor + 1 "condensator" (tegenwoordig bijna niet meer dan een kleine stukje draad)
Dus bijna 6x kleiner dan een SRAM cel, bovendien makkelijker te maken, transistors bestaan altijd uit complexe lagen.
Inherent aan DRAM, is dat condensator zijn spanning niet lang houdt, dus moet de cel periodiek worden uitgelezen en terug opgeladen met de juiste waarde, dit duurt vele kloktiks, wat lang is in computerland.

[Reactie gewijzigd door g4wx3 op 23 mei 2018 23:35]

Die refresh wordt door een speciale unit gedaan en daar heeft de gebruiker nauwelijks last van, tenzij die ene 'page' net wordt ververst.
https://en.wikipedia.org/wiki/Memory_refresh
T.net, imec wordt met kleine letters geschreven en niet met hoofdletters.

Op dit item kan niet meer gereageerd worden.


Apple iPhone XS Red Dead Redemption 2 LG W7 Google Pixel 3 XL OnePlus 6T FIFA 19 Samsung Galaxy S10 Google Pixel 3

Tweakers vormt samen met Tweakers Elect, Hardware.Info, Autotrack, Nationale Vacaturebank en Intermediair de Persgroep Online Services B.V.
Alle rechten voorbehouden © 1998 - 2018 Hosting door True