In de tweede helft van 2008 moet flashgeheugen met een schrijfsnelheid van 100MB/s en een leessnelheid van 200MB/s in massaproductie worden genomen. Daarmee zouden de chips vijf keer sneller zijn dan de huidige generatie geheugen.
Intel en Micron werken onder de vlag IM Flash Technologies samen aan sneller flashgeheugen. Het samenwerkingsverband heeft inmiddels op 50nm gebakken flash opgeleverd, dat met een leessnelheid van 200MB/s en een schrijfsnelheid van 100MB/s liefst vijf keer zo snel is als conventioneel flashgeheugen, zo claimt Micron.
Deze snelheden zijn gerealiseerd door de nog niet definitieve tweede versie van de onfi-standaard voor flashgeheugen-interfaces te implementeren. Het slc-geheugen beschikt verder over een hogere kloksnelheid. Samples met een capaciteit van 8GB zijn inmiddels gereed, en Micron verwacht in de tweede helft van 2008 met de massaproductie te kunnen beginnen. Het bedrijf denkt dat het geheugen toepassing zal vinden in apparaten waarin courant flashgeheugen nog de bottleneck vormt, zoals ssd's, foto- en video-apparatuur en hardware met USB 3.0-interfaces.
