Exact, ik denk dat het zeer interessant is, om deze 5 jaar oude gegevens verder uit te diepen! Wie houdt er niet van moderne geschiedenis
Allereerst is voor mobiele apparaten de maat die gebruikt had
moeten worden natuurlijk een toevoeging per Watt. Een ontwerper voor een mobiel product, laat zeggen de MacBook Air, krijgt immers een "vermogens-budget", en gaat daaruit de maximale prestatie persen.
- De i5-3317U was gemaakt op Intel 22nm, Ivy Bridge, 1e generatie FinFET, met een TDP van 17W.
- De Exynos 5250 was gemaakt op een 'planar bulk' 32nm HKMG proces van de "Common Platform Alliance" (Samsung, IBM, GloFo), dus zonder FinFET's! TDP helaas onbekend, vermoedelijk <5W voor de hele SoC.
Het TDP-budget dat Intel dus tot haar beschikking had, 17 Watt, was gigantisch in vergelijking met wat Samsung tot haar beschikking had, en dan hoefde Intel ook nog eens veel minder functies te implementeren. Intel CPU's hadden immers een losse chipset nodig (Northbridge of hoe heette zo'n ding), terwijl dat bij Samsung allemaal zat geintegreerd
binnen het budget van <5W, en dan moest Samsung het ook nog eens op zo'n historisch proces maken!
Samsung liep destijds qua proces dus 2 jaar achter op Intel, en qua FinFET's dus zelfs nog meer.
Samsung ging van 32/28nm (die leken erg op elkaar) naar het weinig succesvolle 20nm "Bulk", door naar 14nm FinFET (het proces door GloFo gebruikt voor de 1e generatie Ryzen!!!), naar het weinig succesvolle 10nm, gelijk daarna als 1e naar EUV. Zowel Samsung als TSMC werken nu aan hun 2e generatie EUV proces, 5nm.
Samsung (en ook TSMC) maakten dus 4 stappen onderweg naar het beste proces, dat ze volgend jaar aan Apple kunnen leveren; ze gingen in die tijd over van bulk naar FinFET en van DUV naar EUV.
Intel daarentegen, ging van 22nm FinFET DUV naar 14nm FinFET DUV in
dezelfde tijd! En 14nm++++(+?) is het beste dat ze Apple volgend jaar kunnen leveren; de capaciteit van Intel Ice Lake 10nm is namelijk zeer laag, de kosten zijn zeer hoog, het verbruik is helemaal niet beter dan bij 14nm++++ en de prestaties:
Een
1065 Ice Lake (15W TDP) loopt 0.8gHz langzamer dan een
10710 14nm Comet Lake.
Van Samsung 28nm bulk naar 14nm FinFET
leverde ( ca. 40% prestatiewinst op,
Van Samsung 14nm naar 10nm had een prestatiewinst
van ca 27%,
Daarna wordt het wat lastiger om Samsung-getallen te vinden, dus ik moet even switchen naar het bijna gelijkwaardige TSMC:
Van 10nm TSMC naar 7nm TSMC (DUV) was
ca 20% sneller
De overgang van TSMC 7nm DUV naar 7nm EUV wordt meestal niet gemaakt dus laten we buiten beschouwing,
De overgang van TSMC 7N (DUV) naar TSMC 5N
geeft +30%,,
Wie de hoge prestatie uitvoering (N5P) kiest, krijgt er nog 7% bij.
Totaal is, dankzij
alleen de procesverbeteringen, een genoemde Exynos 5250 die volgend jaar op N5P gemaakt zou worden, nu 3,0x zo snel als de 32nm versie. Dus als de chip-ontwerpers stil zouden hebben gezeten.
Zetten we dat af tegen Intel, de 10710 (beste nu, 14) tegen de i5-3317U, dan is de single-thread prestatie
nog niet eens 2x zo snel geworden; inclusief ontwerp-verbeteringen! Terwijl de turbo-freq van de 10710 ook nog eens 2x zo hoog ligt, alwel de base-freq dan weer lager.
En natuurlijk was de ARM-compiler destijds ook nog erg onvolwassen. Het zal niet voor niets zijn dat
Apple de LLVM-mensen in dienst nam.
Dan de ARM Cortex:
De Cortex A15 werd opgevolgd door de A57,
ca. 18% sneller,
De Cortex A53 werd opgevolgd door de A72, laten we zeggen
10% sneller,
De Cortex A72 wordt opgevolgd door de A77, laten we zeggen
wederom 10% sneller.
Apple gebruikt wederom geen Cortex, dus hun implementatie zal nog net iets sneller zijn.
Architecturele verbetering; ~1,4%.
Dus:
-Een nieuwe generatie ARM Cortex A77 op N5P EUV / FinFET zal minstens 4,2x zo snel scoren als de Cortex-A15 generatie op 32nm HKMG planar bulk,
-Intel is eigenlijk maar 1 generatie vooruit gekomen in dezelfde tijd, met maar amper betere prestaties; als we "Passmark" mogen geloven ligt de prestatiewinst maar tussen de 1x - 2x.
[Reactie gewijzigd door kidde op 25 februari 2020 20:24]