ASML en TSMC hebben bij een testrun 1022 wafers binnen 24 uur bij 90W weten te belichten met een NXE:3300B-machine. Dat aantal zou een mijlpaal op de weg naar het voor productie inzetten van euv zijn, zoals TSMC wil doen.
Volgens ASML en TSMC toont de output bij de testronde het potentieel van ASML's euv-systemen aan. Nog dit jaar moet de daadwerkelijke productie van ASML's nieuwste generatie chipmachines op een aanhoudende output van 1000 wafers per dag komen, zo is het doel. Bij TSMC staan twee NXE:3300B-systemen, die nog eens aangevuld worden met twee nieuwere NXE:3350B-systemen.
Met de euv-lithografietechniek wordt gebruikgemaakt van extreem ultraviolet licht, dat door de kleinere golflengte voor kleinere structuren kan zorgen dan de huidige immersie-lithografie. Euv wordt al jaren genoemd als beloofde methode om kleinere nodes mogelijk te maken, maar ASML had grote moeite de technologie op orde te krijgen. Vooral het verkrijgen van voldoende lichtopbrengst om voldoende wafers per dag te kunnen belichten is een grote uitdaging.
Anderhalf jaar geleden meldde ASML overigens al een lichtopbrengst van 80W voor de NXE:3300 met bijbehorende waferproductie van ruim 40 wafers per uur. In hoeverre de nu gerealiseerde 90W opbrengst met omgerekend bijna 43 wafers per uur daadwerkelijk een mijlpaal genoemd kan worden, is onduidelijk. Wel lijken beide bedrijven duidelijk te willen maken dat het proces steeds dichter bij productierijpheid komt.
Hoewel TSMC op euv heeft gewed, lijkt Intel zo lang mogelijk van immersie-lithografie gebruik te willen maken. Het concern denkt zelfs het 7nm-procedé kostenefficiënt te kunnen implementeren zonder op euv te hoeven overstappen, zei Mark Bohr, senior fellow bij Intel, eerder deze week tijdens de start van de IEEE international Solid-State Circuits Conference in San Francisco. Hoe het bedrijf dit denkt te gaan doen, zei hij niet, maar wel gaf hij een hint dat afgestapt gaat worden van silicium finfets en op een nieuw materiaal overgestapt wordt. In 2018 wordt pas de overstap op 7nm verwacht, volgend jaar moet de 10nm-productie met silicium finfets beginnen.