Cookies op Tweakers

Tweakers maakt gebruik van cookies, onder andere om de website te analyseren, het gebruiksgemak te vergroten en advertenties te tonen. Door gebruik te maken van deze website, of door op 'Ga verder' te klikken, geef je toestemming voor het gebruik van cookies. Wil je meer informatie over cookies en hoe ze worden gebruikt, bekijk dan ons cookiebeleid.

Meer informatie

Door , , 9 reacties
Bron: DigiTimes, submitter: T.T.

DigiTimes komt met het nieuws dat Samsung zowel 70nm flash-, 80nm DRAM-geheugen en een single-chip geheugen, fusion memory, heeft aangekondigd. Het 70nm-proces flashgeheugen maakt een cellgrootte van 25nm² en chips van 4Gbit NAND-flash mogelijk. Het proces zou goed door te schalen zijn tot 50nm. Ten opzichte van het 90nm-proces zouden er per wafer 50% meer chips kunnen worden geproduceerd met het 70nm-proces. Dit zou als gevolg kunnen hebben dat de prijzen van flashgeheugens binnenkort zakken.

Samsung LogoHet 80nm-DRAM-proces maakt gebruik van de Recess Channel Array Transistor (RCAT) techniek en een een high-k oxide proces. Hiermee zou het geheugen op 1,5V en lager kunnen werken. Met behulp van deze techniek is Samsung van plan om zowel 512Mbit en 1Gbit geheugens te produceren.

Het fusion geheugen combineert zowel een 512Mbit NAND flashgeheugen als de bijbehorende controller op een chip wat ze OneNAND noemen. Dit zal volgens Samsung NOR flashgeheugen en andere geheugens gaan vervangen in applicaties waar een snelle datadoorvoer vereist is.

Moderatie-faq Wijzig weergave

Reacties (9)

Alweer 70nm!
Weet iemand waar de fysieke grens ligt met 't maken van chips op deze manier?
hoe dun kunnen de 'draadjes' worden?
Lijkt me sterk dat 't tot 1nm doorgaat, dat zou betekenen dat 't 10 atomen dik zou zijn.
De grens ligt bij een paar atomen dik voor de oxide laag (de isolatie tussen de gate en het kanaal) van de MOSFET transistoren.

Die gaat dit decennium nog bereikt worden (misschien alleen nog maar in laboratoria, niet voor producten), en dan moet er weer wat nieuws bedacht worden.

Ik dacht dat er een transistor minimum lengte (waar die 90nm, 80nm en 70nm op slaan) bij hoort in de orde van grootte van 25nm of zo.
Hoe realistisch het is dat dergelijke transistoren nog goed genoeg als schakelaars werken is me niet duidelijk; de statistische effecten van doping en dergelijke zullen ervoor zorgen dat gelijkgemaakte transistoren elkaar helemaal niet meer gelijken..
De grens lijkt me bij 1 atoom dik te liggen.
Alleen wat zijn de toegangs tijden? Want volgens mij zijn die met flash kaarten altijd nog ontzettend traag....
die veranderen niet wezenlijk door een kleiner productie process.
en het is nog altijd sneller als de access tijden van een HD bv
Hiermee zou het geheugen op 1,5V en lager kunnen werken. Met behulp van deze techniek is Samsung van plan om zowel 512Mbit en 1Gbit geheugens te produceren.
Die lagere spanning is wel mooi, maar voor DDR SDRAM niet bruikbaar. Weet iemand welke spanning DDR2 gebruikt?
Met 1 gbit chips worden 1 gbyte modules hopelijk wat goedkoper.
De prijzen van flash geheugen mogen ook wel eens zakken want die staan nu echt al wel een lange tijd bijna ongewijzigd.
Het 70nm-proces flashgeheugen maakt een cellgrootte van 25nm2 mogelijk
Het artikel heeft het over een cel grootte van 0.025um, dat is dus wel wat groter dan 25nm2. Een factor 1000 om precies te zijn. Het kleinste oppervlak met een 70 nm process is al gauw 4900 nm2. De cel grootte is met 25000 vierkante nanometers, ongeveer 5 keer zo groot als deze kleinste oppervlakte..
Je hebt van compact flash geheugen extra snel geheugen

Op dit item kan niet meer gereageerd worden.



Apple iOS 10 Google Pixel Apple iPhone 7 Sony PlayStation VR AMD Radeon RX 480 4GB Battlefield 1 Google Android Nougat Watch Dogs 2

© 1998 - 2016 de Persgroep Online Services B.V. Tweakers vormt samen met o.a. Autotrack en Carsom.nl de Persgroep Online Services B.V. Hosting door True