Samsung laat middels een persbericht weten dat het als eerste een 8Gbit NAND-flashgeheugen heeft geproduceerd. De chip bestaat niet uit één plakje silicium, maar uit vier plakjes van 2Gbit die op elkaar gestapeld zijn. Dezelfde truc haalde het bedrijf al eerder uit met twee lagen silicium, het resultaat daarvan was een 4Gbit-chip. De 2Gbit bouwstenen worden gemaakt met behulp van het 90nm-productieprocédé dat in september in gebruik werd genomen. De door Samsung gemaakte NAND-flashgeheugens hebben verschillende voordelen boven de NOR-geheugens die door onder andere Intel en AMD gemaakt worden, zo worden ze veel sneller beschreven en gewist. NOR-geheugen kan daarentegen iets sneller uitgelezen worden.