FASL LLC, de joint venture tussen AMD en Fujitsu, houdt zich sinds het begin van april 2003 bezig met de productie van flashgeheugen. In 2004 wil FASL de productie van flashgeheugen laten groeien om daarmee te voldoen aan de vraag van AMD- en Fujitsu-klanten. Het is de bedoeling dat tegen het einde van 2004 de productie van 128Mbit geheugen, dat gebakken is op basis van het nieuwe 110nm-proces, met tachtig procent zal zijn gestegen ten opzichte van 2003. Deze groei zal onder andere plaats moeten gaan vinden in Fab 25. Al in 2001 is Fab 25 van een algemene chipfabriek omgebouwd naar een flashgeheugenfabriek. Toen werd nog gebruik gemaakt van de 170nm-technologie. Dat productieproces is in de loop der jaren aangepast naar de huidige 130nm en in 2004 zal van de 110nm-technologie gebruik gemaakt gaan worden. Fab 25 zal dan samen met de fabrieken JV1, JV2 en JV3 ervoor zorgen dat de totale productiecapaciteit zal kunnen verdubbelen in 2004. Technische details over de 110nm 128Mbit-technologie zijn de volgende:
"Wireless solutions from our leading-edge customers demand high-fab capacity, with leading-edge Flash technologies, supporting state-of-the-art performance," explained Amir Mashkoori, Group Vice President and General Manager of the Wireless Business Unit for FASL LLC. "The planned ramp of 110nm technology through 2004 will support both our leading-edge Floating Gate technology and especially our state-of-the-art, second-generation, 110nm MirrorBit(TM) technology. Both technologies will enable market-leading differentiated solutions for our wireless customers."
110nm MirrorBit technology is designed to support a major extension to the Spansion Flash memory portfolio with the addition of a high performance, full-featured, 256Mbit 1.8-volt product for the wireless market. The planned feature set includes greater than 80MHz burst mode, fast access times and low energy consumption. Early silicon on this product, the Spansion S29WS256N device, is already in-house, with planned sampling in the first half of 2004.