Macronix introduceert NOR-flash met 2 bit per cel

Macronix heeft een serie van NOR-flashgeheugens geïntroduceerd die twee bits per geheugencel kunnen opslaan. Op zich is dat niets nieuws, want drie jaar geleden kwam AMD al met MirrorBit waarmee ook twee bits in elke geheugencel kunnen worden opgeslagen. Wat echter nieuw is, is de gebruikte technologie. Macronix noemt dit NBit, waarin de N staat voor een stikstofverbinding genaamd nitriet. Het gebruik van deze verbinding in de cel maakt het mogelijk om aan elke kant van de cel een andere bit op te slaan.

Ten opzichte van MirrorBit zou de technologie volgens Macronix een aantal voordelen hebben. Als eerste zou NBit in de toekomst makkelijk uitgebreid kunnen worden naar meerdere bits per cel. Het grootste voordeel is echter dat een enkele cel uit maar 18 lagen bestaat. Een normale flashgeheugencel of een Mirrorbit-cel bestaat echter uit 23 lagen. Minder lagen betekent minder maskers en dus makkelijker te produceren, waardoor het geheugen goedkoper is.

Wie denkt dat flashgeheugenkaartjes en dergelijke nu goedkoper gaan worden, heeft het echter mis. NOR-flashgeheugen is voor dit soort producten niet geschikt omdat elke cel maar ongeveer 100.000 keer kan worden veranderd. Dit in tegenstelling tot NAND-flashgeheugen, waarvan elke cel enkele miljoenen keren kan worden veranderd. NOR-flashgeheugen wordt dan ook vooral gebruikt om een besturingssysteem, BIOS of een firmware in op te slaan, bijvoorbeeld op moederborden of in mobiele telefoons.

NBit-flashgeheugencel vs MirrorBit-cel vs enkelbitscel

Door Ralph Smeets

Nieuwsposter

10-06-2005 • 18:23

10

Submitter: andreklaver

Bron: Macronix

Reacties (10)

10
8
4
0
0
3
Wijzig sortering
Als deze cellen 100 000 keer beschreven kunnen worden, zijn ze dan ook niet bruikbaar voor flash disks? Voordat je zoveel keer geschreven hebt, ben je toch al wel een poosje verder.
Als deze cellen 100 000 keer beschreven kunnen worden, zijn ze dan ook niet bruikbaar voor flash disks? Voordat je zoveel keer geschreven hebt, ben je toch al wel een poosje verder.
Niet altijd, industriele Mini-itx borden gaan steeds vaker hun gehele systeem op flash kaartjes draaien ipv hardeschijven. Dit omdat het stukken goedkoper, kleiner en makkelijker is (minder tot geen warmteproductie, geen bewegende delen, weinig stroomgebruikt). Deze systemen moeten wel jaren mee kunnen gaan zonder vervanging terwijl er wel constant wordt geschreven in het geheugen. Het lijkt me dus dat het conventionele flash geheugen hier dan toch de voorkeur geniet als het om levensduur gaat.
Flash chips with 300,000 write cycles are common, and currently the best flash chips are rated at 1,000,000 write cycles per block (with 8,000 blocks per chip).
http://www.bitmicro.com/press_resources_flash_ssd.php

Daar in tegen verwacht ik wel dat het misschien van pas kan gaan komen voor bijvoorbeeld mp3 spelers (als je niet te vaak van muzieksmaak verwisseld :P) of ROM achtige toepassingen (zoals news-post ook al vermeld).
Euh, je kan toch een ramdisk maken?
Als je de komende 50 jaar 5 keer per dag de chip flasht zit je nog niet aan 100.000 keer :Y)
Kijk eens in je PC? die schijven worden toch wel een paar miljoen keer per dag toegesproken voor lees en schrijfwerk tijdens een dagje normaal gebruik (emule open, een paar spelletjes, wat internetten, dvdtjes bakken, filmpje rippen,enz. normaal voor tweakers, bedoel ik dus)
als je een bitje 100.000 kee rgewijzigd hebt en het houdt op te funcitoneren, dan is wel je data corrupt.
<zeurmodus> De N in Nbit zal voor (silicon)nitride staan, en niet voor nitriet (NO2). Dat is een heel ander beest... </zeurmodus>
Toch wel jammer dat er weer een groot nadeel aanzit in de vorm van het lage aantal keren dat er herbeschreven kan worden.

Maar, zoals aangegeven, voor een BIOS of soortgelijke toepassingen is het natuurlijk mooi toepasbaar. Een BIOS beschrijf je toch maar enkele keren opnieuw als eindgebruiker.
Er klopt toch iets niet in dit artikel: zowel Mirrorbit als NBit (en ook TwinFlash van Infineon, maar dat is als NAND-vervanger bedoeld ondanks dat't ook een NOR geheugen is) zijn op hetzelfde principe gebaseerd. Beide zijn eingenlijk varianten van het NROM concept (Saifun semiconductor / Boaz Eitan) en hier is dus niets revolutionairs aan, alleen een nieuwe naam voor dezelfde technologie.
(zie http://www.saifun.com/content.asp?id=10 )

De eerste commerciele productie hiervan is trouwens niet door een van de groten gedaan, maar 5 jaar geleden door het israelische bedrijf Tower semiconductor onder de naam microFLASH (zie hun roadmap op http://www.towersemi.com/pages/tech_content_pages.asp?intGlobalId=46&i ntLevel=3&intDeep=1 )

Op dit item kan niet meer gereageerd worden.