Zweedse wetenschappers uit Stockholm melden bij ZDNet UK een technologische doorbraak op het gebied van solid-state elektronica te hebben bereikt. Door het toevoegen van het element mangaan aan zinkoxide-verbindingen wist men deze magnetische eigenschappen te geven, waarmee in potentie een honderd keer zo snelle dataoverdracht en duizend keer meer opslagcapaciteit bereikt kan worden dan met conventionele technieken mogeljik is. Omdat zinkoxide nu al veel wordt gebruikt in mobiele telefoons en optische elektronica, zal het niet veel moeite kosten om deze uit te rusten met de nieuwe technologie. Bovendien zou het nieuwe productieproces uitermate geschikt zijn voor zogeten 'spintronische circuits', een quantumtechniek waarbij de logische staat van een transistor wordt bepaald door de 'spin' van de elektronen. Hiermee kunnen energiezuinige elektronische geheugencircuits geproduceerd worden, die tevens geschikt zijn voor permanente dataopslag. Het zal echter nog wel een aantal jaar duren voor we de eerste spintronische apparaten op de markt tegenkomen:
Spintronic transistors have the potential to be much faster and dissipate much less power than conventional designs because they set and test the spins of electrons -- the fundamental component of magnetism -- without needing an electric current.
"You can get much closer to the speed of light," said Professor Rao of the Royal Institute of Technology in Stockholm, "because you're not moving charge around." The logic state of a spintronic device is also non-volatile, and stays when power is removed. "It's like having a hard disk without the magnetic surface," Rao said, "and you can have very high density at low power." He said that because semiconductor engineering is so highly advanced, it should only be five to ten years before spintronic devices appeared: "But don't ask me exactly when. That would be like asking a newly-wed woman when the first baby was expected."