Duitse onderzoekers hebben een nieuw type geheugen ontwikkeld dat de beste eigenschappen van dram en flash-geheugen combineert. Quantumdotgeheugen belooft een hoge snelheid, een hoge datadichtheid en een lange gegevensretentie.
Quantumdots zijn kleine eilandjes gemaakt van halfgeleiders waarin elektronen opgesloten kunnen worden. Door deze eigenschap kunnen quantumdots gebruikt worden om gegevens op te slaan. De Duitse onderzoekers hebben laten zien dat het geheugen binnen enkele nanoseconden beschreven kan worden, waarmee de snelheid van dram-geheugen bijna geëvenaard wordt. De hoogste schrijfsnelheid, 6ns, werd bereikt met halfgeleiders gemaakt van indiumarsenide en galliumarsenide.
Elke quantumdot is slechts 15nm groot waardoor een datadichtheid van één terabyte per vierkante inch behaald kan worden. Daarnaast kan de snelheid in theorie flink hoger. Volgens de onderzoekers ligt de theoretische limiet ergens in de picoseconden wat betekent dat quantumdotgeheugen meer dan honderd maal sneller dan dram-geheugen kan worden.
Naast snel is het quantumdotgeheugen niet-vluchtig wat inhoudt dat de gegevens niet verdwijnen als de spanning verdwijnt. Het geheugen slijt echter, evenals flashgeheugen, wel tijdens de schrijfacties. Bij het schrijven naar het geheugen worden elektronen in de quantumdot in een andere energieband geplaatst waarbij de kwaliteit van het geheugen langzaam afneemt. Dit is echter minder dan bij flashgeheugen waardoor quantumdotgeheugen een veelbelovende technologie voor de toekomst is.