Infineon meldt dat het er in geslaagd is om een circuit op meer dan 110GHz te klokken met behulp van SiGe-technologie. Door geen zuiver silicium te gebruiken maar het kristal te 'vervuilen' met germanium onstaat een halfgeleider die hoger geklokt kan worden dan normaal. Germanium is van nature namelijk een betere halfgeleider dan silicium, maar het probleem is dat het minder goed bestand is tegen hitte. Door de juiste verhouding te bepalen wordt het beste van twee werelden gecombineerd. IBM gebruikt deze techniek reeds enkele jaren, en ook Intel zal het inzetten voor de productie van de 0,09 micron Prescott-core.
Een losse SiGe-transistor kan zonder problemen op 210GHz draaien, maar een werkend circuit bouwen op dergelijke snelheiden is een vak apart. De gedemonstreerde chip was dan ook niet bepaald de meest ingewikkelde - de enige functie die het kan uitvoeren is het halveren van de frequentie van een invoersignaal. Dat dat op 110GHz gebeurt is natuurlijk wel interessant, maar het Duitse bedrijf vergeet voor het gemak te vermelden dat IBM ze anderhalf jaar geleden al voorging. Naast de divider werden ook een 95GHz oscillator en een 77GHz radarontvanger gedemonsteerd. Tevens levert het bedrijf al enkele 70GHz onderdelen voor versterkers en microgolfradios:
Infineon designed several key functional building blocks for high-speed communications, based on its state of the art SiGe:C bipolar technology, which reaches a cut-off frequency of more than 200GHz and has a demonstrated record ring oscillator gate delay time of 3.7ps. Tests of the high performance circuits indicate well-balanced transistor parameters for analog and digital applications and very low noise figures.
