De EE Times schrijft dat Conexant Systems deze week tijdens de IEEE International Electron Devices Meeting in Washington haar SiGe200 proces heeft aangekondigd. Conexant claimt dat ze met deze techniek transistors, gebaseerd op silicium en germanium, kunnen bouwen met een frequentie van 200GHz. IBM, die ook bezig is met deze technologie heeft een maximale frequentie weten te bereiken van 210GHz, maar hierbij moet wel worden opgemerkt dat beide bedrijven de resultaten van de ander in twijfel trekken:
IBM Corp., the other contender in this battle, has announced Ft values as high as 210 GHz for its own processes. Each company has questioned the other's results, noting that peak frequencies often come under ideal lab conditions and don't always reflect the true value of a manufacturing process.
Conexant's SiGe200 process is an offshoot of its previous 0.18-micron BiCMOS SiGe process. Both are based on a proprietary bipolar transistor that Conexant officials say improves in performance as line sizes shrink, just as CMOS does.
Met dank aan RawPeanut voor de tip.