Cookies op Tweakers

Tweakers maakt gebruik van cookies, onder andere om de website te analyseren, het gebruiksgemak te vergroten en advertenties te tonen. Door gebruik te maken van deze website, of door op 'Ga verder' te klikken, geef je toestemming voor het gebruik van cookies. Wil je meer informatie over cookies en hoe ze worden gebruikt, bekijk dan ons cookiebeleid.

Meer informatie

Door , , 12 reacties
Bron: EE Times

De EE Times bericht dat Toshiba een mogelijke opvolger heeft gevonden voor SOI (Sillicon On Insulator). De techniek is genaamd SON (Silicon On Nothing) en zoals je kan opmaken uit de namen zit er subtiel verschillen in beide technieken. SOI maakt gebruik van een niet geleidend materiaal terwijl er bij SON simpelweg kleine gaatjes worden gemaakt onder de transistor gates. Het voordeel hiervan is een lagere parasitic weerstand en een hogere performance.

Toshiba's ULSI engineering team heeft recent een SON MOSFET succesvol in elkaar geknutseld met een 0.14 micron gate lengte en een capaciteit die 20 procent lager is dan een normale silicium transistor. Als het gat onder gate groter gemaakt kan worden dan nu het geval is kan deze techniek tweemaal beter presteren dan SOI, maar voor een veel lagere prijs. Daarnaast kan SON, in tegenstelling tot SOI, overal gebruikt worden op de wafer wat erg handig is voor SoC chips. We kunnen de techniek ongeveer rond 2005 op de markt verwachten :

Toshiba logoWhile Toshiba has yet to make a functioning chip using SON, the company is confident it can apply the technology to its 50 nanometer (0.05-micron) process generation around 2005, according to Tsutomo Sato, a research engineer at the process and manufacturing center of Toshiba's advanced ULSI process engineering department.

"We plan to implement this technique in 2005 for the 35-nm gate length generation," Sato said. "Other companies can make SOI for this generation, it's just a kind of know-how. But there is no problem, we feel, with scaling SON, it's such a simple process."

Meanwhile, Toshiba has taken over 20 patents on the process and will be pushing the technology into test circuits over the next six months, Tsunashima said.

Met dank aan Bier_PC voor de tip.

Moderatie-faq Wijzig weergave

Reacties (12)

De marketing afdeling is weer zeer hard bezig geweest. :+

SoC = silicon on carbon,system on chip :?
System-on-chip idd :)
Dus als ik het goed begrijp maakt deze nieuwe techniek alle inversteringen die in SOI zijn gedaan aardig nutteloos geweest, omdat deze techniek duidelijk beter presteerd tegen een lagere prijs.

Ik vraag me af of de technieken die Intel, IBM en AMD laatst bekend gemaakt hebben niet aardig dicht in de buurt komen qua peformance/prijs, want alle drie de technieken waren aardig veelbelovend. Zeker qua energieverbuik en de mogelijkheid om de snelheid flink te verhogen.

Ik denk dan ook niet dat Intel, IBM of AMD deze techniek snel zullen gaan gebruiken, maar ik kan het natuurlijk mis hebben.
Volgens mij duurt het nog wel een tijd voordat het toegepast gaat worden, je zal denk ik toch eerst op grote schaal SOI gaan zien omdat dat bijna af is. Als ik het goed begrijp, hebben ze deze techniek nog maar net ontdekt en moet dat nog verder uitgewerkt gaan worden, iets wat jaren duurt.

Verder is onderzoek nooit nutteloos, het is maar de vraag of de hier beschreven ontwikkeling er was geweest als er nooit onderzoek naar SOI was gedaan.

Verder rammelt de eerste zin van je reply een beetje heel erg, moet je een beetje aanpassen, vind ik.
Wat ik me nu afvraag is of er op deze manier geen problemen ontstaan met warmte? De traditionele substraat laag werd naar mijn weten niet alleen gebruikt voor de ongewenste extra lekstroompjes maar ook voor afvoer van warmte en als je een goede isolator gebruikt als substraat kun je nog steeds een goede warmtegeleiding realiseren volgens mij maar als je het echt weghaalt is dat toch drastisch minder goed volgens mij of is het overgebleven gedeelte toch voldoende voor warmteafvoer?
De warmte wordt vooral aan de bovenkant van de chip weggenomen, deze gaatjes komen volgens mij aan de onderkant. Dat betekent dat de warmte afname ongeveer gelijk blijft, alleen koeling aan de onderkant van het IC heeft minder zin, maar dat werd toch amper gebruikt.
Dit is een mooie techniek, waarbij voor Soi nog nodig was dat er op delen van de wafer een isolator werdt aangebracht, is dit bij de SON techniek overbodig door gebruik van gaatjes in de wafer. 8-)

Dit heeft als voordeel dat er een stap uit het productieproces het aanbrengen van de isolator kan verdwijnen, dus prijs zal ook wel iets kunnen zakken.
:)

Aangezien bij deze techniek capaciteit kleiner wordt van de transistoren kan de snelheid verder omhoog, om dat de snelheid van een transistor voor groot deel door de ontlaatsnelheid van de parisitaire capaciteit wordt bepaald. }>
Chippies... Wedje maken dat het NOOIT wordt gebruikt door Intel en AMD?
Ik denk dat ze bij Intel en AMD heus al wel bezig zijn met experimenten met iig SOI. En waarom niet? Wellicht is deze techniek wel een stuk goedkoper dan voorgaande technieken, dat weet ik verder niet. Zowel AMD als Intel zullen iig [i]iets[/b] moeten doen om in de "mhz-race" te blijven.
AMD eerst SOI (thrughbred) en dan SON (hammer)

:7 wat vinden jullie :7

maar AMD heeft de SOI niet eens onder controle |:(
volgens mij hebben ze de hammer ook allang ontworpen, zo niet al samples van geslagen, dus SON zit daar alvast vast niet in ;)

nog ff wat:
SoC chips
?
das dus hetzelfde als "IP protocol" zeggen, ook beetje dubbelop :+
Daarnaast kan SON, in tegenstelling tot SOI, overal gebruikt worden op de wafer wat erg handig is voor SoC chips.
Moi! (Waar hebben ze 't over? :P )

Op dit item kan niet meer gereageerd worden.



Apple iOS 10 Google Pixel Apple iPhone 7 Sony PlayStation VR AMD Radeon RX 480 4GB Battlefield 1 Google Android Nougat Watch Dogs 2

© 1998 - 2016 de Persgroep Online Services B.V. Tweakers vormt samen met o.a. Autotrack en Carsom.nl de Persgroep Online Services B.V. Hosting door True