Op de site van Intel is een artikel verschenen waarin staat dat het bedrijf nog meer in petto heeft voor de volgende generatie chips. Eerder schreven we al over de introductie van Silicium-Germanium technieken bij het productie procédé op 0,09 micron. Daarnaast was ook al bekend dat de nieuwe produktiemethode gebruik zal gaan maken van strained-silicon technologie, dat voor een lagere energieconsumptie en warmteafgifte kan zorgen. Nu kondigt Intel aan dat men er naar streeft 'mixed-signal'-technieken onder te brengen in het 0,09µ procédé.
Mixed-signal circuits zijn ontworpen om de communicatie tussen analoge en digitale componenten in de chip mogelijk te maken. Deze technieken zijn nu vooralsnog in een aparte chip ondergebracht. Door in de toekomst deze circuits te integreren op één chip, zullen systemen waarbij veelvuldig signaalomzetting tussen analoog en digitaal plaatsvindt - denk bijvoorbeeld aan mobiele telefoons en draadloze netwerken - een hoge snelheidswinst kunnen behalen. De verwachting is dat de eerste apparaten met deze geïntegreerde chips halverwege 2003 op de markt zullen verschijnen:
"This integration of computing and communications technologies will enable us to create microchips that are twice as fast, contain 2.5 times more transistors and are substantially less expensive than anything that exists today," said Sean Maloney, Intel executive vice president and general manager of the Intel Communications Group. "The combination of mixed-signal, silicon germanium and our most advanced CMOS manufacturing process will bring the benefits of Moore's Law to communications silicon and help keep Intel at least a generation ahead of the competition."
