JAMF stuurde ons twee stukjes van The Inquirer over TSMC, één van de grootste namen in de productie van microchips. In het eerste stuk tekst wordt gemeldt dat de eerste 0,18 micron SiGe chips in 2002 geleverd zullen worden. SiGe is een legering van silicium en germanium, die niet alleen hogere snelheden mogelijk maakt, maar ook nog eens een minder energie verbruikt en dus weer een klein stukje koeler blijft. Hedendaagse transistors kunnen met een frequentie van 50 tot 60GHz tussen 0 en 1 wisselen, maar een SiGe gate schakelt nog eens twee keer zo snel. Zodra hetzelfde materiaal gebruikt wordt om 0,13 micron transistors te bakken gaat de maximale snelheid nog eens omhoog van 120 naar 160GHz.
Een ander voordeel is dat SiGe vergeleken met de alternatieven niet veel duurder is dan normaal silicium. TSMC beweert het eerste bedrijf te zijn dat 0,35 micron SiGe chips levert voor netwerken en RF toepassingen. Het tweede bericht gaat over de 0,13 micron yields van het bedrijf. Het 1P6M procédé haalt maar liefst 97 procent, terwijl met het oudere 1P3M 88 procent van de chips 'lukt'. Voor de chips groter dan 50 vierkante millimeter daalt het getal echter van een bijna perfecte score naar 71 procent. Intel weigert steevast commentaar te geven op haar 0,13µ yields, waaruit The Inquirer meteen een erg voorbarige conclusie trekt:
TSMC says it's the first company to offer SiGe and can build .35 micron products today, targeted mainly at network and high performance RF applications. SiGe can be used in place of plain silicon in almost all applications and provides higher speed, lower noise, better linearity and reduced power consumption in exchange for a small price premium - the technology is far cheaper than the expensive gallium arsenide alternative.
[...] We can only read into that that Intel's yields simply don't match up to those of the Taiwan outfit - come on Intel, give us the numbers and prove us wrong.