Samsung heeft aangekondigd dat de geheugenfabrikant in het derde kwartaal zal beginnen met de volume productie van 512Mbit DDR-II SDRAM chips. Naar eigen zeggen is Samsung het eerste bedrijf dat 512Mbit SDRAMs heeft aangekondigd die voldoen aan de DDR-II specificaties. De 512Mbit DDR-II chips functioneren op een spanning van 1,8 volt en worden geleverd in een ball-grid array (BGA) chipverpakking. De data transfer rate bedraagt 533Mb/s, maar kan voor bepaalde toepassingen verhoogd worden tot 667Mb/s, aldus Samsung.
De 512Mbit DDR-II chips zijn volgens Samsung volledig compatible met de DDR-II standaard, waarvan de specificaties in maart door de JEDEC werden vastgelegd. De chips beschikken over diverse verbetering zoals zoals off-chip driver calibration (OCD), on-die terminiation (ODT) en een verbeterde bus efficiciency.
In maart 2001 ontwikkelde Samsung in samenwerking met IBM reeds een 2,5 volt 128Mbit DDR-II prototype. Parallel met dit project ontwikkelde IBM de eerste DDR-II memory controller voor registered DDR-II DIMMs. Samsung verwacht een sterk groeiende markt voor DDR geheugens. In 2002 zal het DDR segment 40 procent van de DRAM verkopen voor zijn rekening nemen. In 2003 zal het aandeel gestegen zijn tot 66 procent.