Intel heeft vooruitgang geboekt met de ontwikkeling van een nieuw halfgeleidermateriaal voor gebruik in processors. Transistors zouden daardoor met de helft van de spanning van traditionele transistors toe kunnen.
De transistors die Intel ontwierp met het nieuwe materiaal zijn zogenoemde p-type transistors: het geleidingskanaal is positief gedoteerd en werd gemaakt van III-V-materiaal. Deze halfgeleiders, genoemd naar hun plaats in het periodiek systeem der elementen, lijken op silicium, dat in het periodiek systeem in kolom IV te vinden is, en bestaan uit onder meer materialen als galliumarsenide en indiumnitride. De p-type transistors moeten in combinatie met n-type transistors, ofwel transistors met een negatief gedoteerd geleidingskanaal, kunnen leiden tot cmos-circuits.
Intel ontwikkelde al eerder n-type transistors die uit III-V-halfgeleidermateriaal werden vervaardigd. Samen zouden de transistors in een cmos-circuit voldoende moeten hebben aan de helft van de spanning die de huidige generatie cmos-transistors vergen. Niet alleen zouden de spanningen gehalveerd kunnen worden, ook het stroomverbruik moet drastisch omlaag kunnen, tot ongeveer tien procent van het huidige verbruik, zo laat Intel weten. Als gevolg van de verlaagde spanning en verminderd gebruik van de transistors, zouden toekomstige processors een stuk koeler hun werk kunnen doen.