Onderzoekers van Intel zijn erin geslaagd om interconnects van nanotubes te fabriceren. Deze verbindingselementen tussen de transistoren in chips worden tot dusverre van koper gemaakt, maar de steeds voortschrijdende miniaturisatie maakte koperen interconnects tot een van de grotere problemen die chipmakers in de komende jaren te overkomen hebben: hoe dunner een interconnect is, hoe hoger de weerstand wordt. Dankzij een eigenschap die 'ballistic conductivity' genoemd wordt, zijn nanotubes in staat om uitstekend geleidende verbindingen van slechts enkele nanometers dik te maken: ze geleiden veel beter, omdat elektronen niet door het materiaal van de interconnect worden afgeremd.
De nieuwe technologie heeft echter wel weer een ander probleem: de massaproductie van uniforme nanotubes is vooralsnog zo goed als onmogelijk. Verschillen in lengte en vooral in chemische samenstelling zorgen ervoor dat buisjes die onder identieke omstandigheden worden gefabriceerd, toch zeer uiteenlopende eigenschappen vertonen. Intel heeft die variatie deels het hoofd kunnen bieden door met behulp van een elektrisch veld bundeltjes nanotubes te maken, waarvan de eigenschappen voorspelbaarder zouden moeten zijn. Toch is er nog jarenlang onderzoek nodig voordat nanotubes in commerciële chips zullen opduiken, waarschuwde onderzoeker Mike Mayberry. De eerste toepassingen van de nieuwe materialen moeten niet voor 2010 of 2012 verwacht worden, maar de chipfabrikanten zullen in de jaren daarna steeds minder keuze hebben. Zo rond 2020 zullen de grenzen van siliciumchips bereikt zijn en moeten onder andere nanotubes voor verdere vooruitgang zorgen.