SK hynix gaat meer dan zes miljard euro investeren in een nieuwe geheugenfabriek. Vanaf mei 2027 moet daar voor het eerst dram-geheugen worden geproduceerd, waaronder HBM-geheugen voor AI.
De Raad van Bestuur van de Koreaanse fabrikant is akkoord gegaan met de investering. Het bedrijf gaat 9,4 biljoen won, omgerekend zo'n 6,25 miljard euro, investeren in een halfgeleiderfabriek in het Yongin-district, waar al veel van zulke fabs staan.
SK hynix wil in maart van volgend jaar beginnen met de bouw. Het bedrijf verwacht de fab af te hebben in mei 2027. Het gaat dan om een eerste productiefaciliteit; in de toekomst moeten er dan nog eens drie nieuwe fabs bij komen.
In de eerste fab wil SK hynix vooral dram-geheugen maken. Het bedrijf zegt dat 'daaronder ook high bandwidth memory-geheugen valt', al zegt het niet om hoeveel het dan gaat. Er is steeds meer vraag naar HBM-geheugen, omdat dat onder andere veel wordt gebruikt voor AI-toepassingen. SK hynix zei eerder dit jaar al dat de HBM-productiecapaciteit voor 2024 al is uitverkocht en dat ook voor volgend jaar al een groot deel zou zijn volgeboekt door producenten.