Samsung heeft voor het eerst een dram-Lpddr5x-module gemaakt. Die heeft een snelheid van afgerond 8,5Gbit/s. Het dram is ook gevalideerd om met Snapdragon-socs te gebruiken. Details daarover zijn nog niet bekend.
De Zuid-Koreaanse fabrikant zegt dat het een maximale snelheid van 8,5Gbit/s heeft gehaald op zijn bestaande Lpddr5x-dram-modules. Die haalden eerder een maximale snelheid van 7,5Gbit/s. Samsung zegt dat het die snelheid heeft kunnen verbeteren door de signaaloverdracht tussen de applicatieprocessor en het geheugen te optimaliseren. De maximale snelheid op de vorige generatie dram, op Lpddr5, is 6,4Gbit/s. Met de snelheid voldoet Samsung aan de officiële Jedec-standaard; die schrijft een maximumsnelheid voor Lpddr5x-geheugen voor van 8533Mbit/s. Het is niet de eerste keer dat een bedrijf een dergelijke snelheid in dram behaalt. Micron lukte dat al eerder dit jaar.
Samsung schrijft dat het nieuwe geheugen voor het eerst gevalideerd is voor gebruik in Snapdragon-chips van Qualcomm. Het bedrijf geeft daarover geen verdere informatie; het is dus niet bekend in welke hardware het dram voor het eerst moet verschijnen. Samsung schrijft dat de nieuwe snelheden Lpddr-geheugen ook geschikt maken voor andere toepassingen dan smartphones, bijvoorbeeld voor datacentertoepassingen en auto's.