Intel kan nog dit jaar met de massaproductie van phase-changegeheugen beginnen. Klanten van de chipbakker zouden de eerste samples nog voor de zomer in huis moeten hebben, zo bleek tijdens een persconferentie.
De phase-change- of 'pram'-chips van Intel hebben een capaciteit van 128 megabit per stuk en zijn op 90nm-leest geschoeid. Volgens Ed Doller, cto van de flashgeheugentak van het bedrijf, heeft de nieuwe technologie zich inmiddels in het laboratorium bewezen: de chips kunnen minstens honderd miljoen maal opnieuw beschreven worden en houden data 'veel langer dan tien jaar' vast. Omdat het geheugen 'non-volatile' is - dat wil zeggen dat de gegevens bewaard blijven als de stroomvoorziening wegvalt - geldt pram als een belangrijke concurrent voor flashgeheugen, maar Doller denkt dat ook normaal dram te zijner tijd door pram vervangen kan worden.
Intel heeft ongeveer zeven jaar aan de technologie gewerkt. Vorig jaar ging het bedrijf nog een samenwerkingsverband met het Zwitserse STMicroelectronics aan om het gebruik van halfgeleiders als selenium en tellurium voor geheugenchips te onderzoeken, en de resultaten zijn volgens Doller 'nagenoeg perfect'. Niet alleen zouden de prestaties beter zijn dan die van flashgeheugen, ook de schaalbaarheid van de technologie is van belang: naar verluidt zou de capaciteit van flashchips dicht tegen de grenzen van de techniek aanzitten en een opvolger met meer potentieel is gewenst. Ook IBM en Qimonda hebben pram ontdekt als mogelijke opvolger van flashgeheugen, en Samsung zou volgend jaar eveneens geheugen van het phase-changetype presenteren.
 12:33 |
Gamestudio wil vrijwilligers mobiliseren |
 10:18 |
Fujitsu kondigt 7200rpm-laptopschijf van 160GB aan |
Door 
check maar hoe snel een PC al is als die op 
