TSMC werkt met overheid aan ontwikkeling van MRAM

De EE Times houdt ons op de hoogte van de laatste ontwikkeling op het gebied van MRAM. Naast IBM, Infineon en Motorola werkt nu ook TSMC aan een methode om magnetisch geheugen te bakken. Het bedrijf wordt daarbij geholpen door de ERSO, een lokale overheidsinstelling. De EE Times vermoedt dat de Taiwanezen zich in eerste instantie vooral gaan richten op chips met kleine capaciteit voor embedded toepassingen. Onderzoekers van IBM hebben bepaald dat het gebruik van MRAM grote voordelen heeft boven bestaande technieken. Schrijven kan 20 en 1000 keer sneller dan respectievelijk DRAM en flash geheugen. Ook de access time van 3ns is zeer gering. Bijkomend voordeel is dat het geheugen - omdat het niet steeds ververst moet worden - nog geen honderste van de stroom van DRAM gebruikt. Ook is MRAM minder gevoelig voor fouten die ontstaan door hoge dichtheid:

The first devices are expected to find application in such areas as satellites, portable medical electronic devices and advanced, third-generation cell phones. MRAM's resistance to radiation is one reason it is also considered a prime replacement for SRAM, which is expected to suffer more and more from density-induced soft error rates as it scales below 0.10 micron.

Until now, only large integrated device manufacturers (IDMs) have made any substantial headway in developing MRAM device technology. Motorola plans to sample a 4-Mbit MRAM in 2003 on the way to a widespread introduction in 2004. Last year, the company displayed a 256-kbit chip built in a 0.6-micron CMOS process. IBM is testing a 1-Mbit version at 0.18 micron and plans to introduce a 256-Mbit commercial version, based on a 0.13-micron process, by 2004.

Bier_PC stuurde de link, bedankt!