Samsung heeft bekendgemaakt te zijn gestart met de massaproductie van 1Gb-DDR2-geheugen via een 80nm-productieprocédé. Dat is een verdubbeling van de capaciteit van de 512Mb-chips die sinds maart, tevens uit de 80nm-oven, van Samsungs lopende band af kwamen rollen. De nieuwe geheugenreepjes meten 11mm bij 11,5mm, wat volgens het Zuid-Koreaanse bedrijf een ruimtebesparing van 36 procent oplevert ten opzichte van 1Gb-geheugen dat op 90nm is gebakken. De 1Gb-chipjes zouden verder nauwelijks groter zijn dan 512Mb-geheugen uit de 90nm-oven. Samsung gaat geheugenmodules met een capaciteit van 4GB bouwen door 36 van de nieuwe chipjes samen te bundelen. Het bedrijf wil verder nog kwijt dat de 1Gbit-DRAM-markt momenteel acht procent van de totale markt vormt, maar dat die, afgaande op onderzoek van Gartner, in 2008 36 procent zal beslaan, terwijl de totale waarde van de DRAM-markt aanzwelt van 28,7 miljard dollar naar 37,8 miljard dollar.
