Sk Hynix meldt een nandflash van 512Gbit ontwikkeld te hebben op basis van 176 lagen. Volgens het Koreaanse chipbedrijf leidt de chip tot lagere kosten voor nandgeheugen en maakt deze hogere doorvoersnelheden mogelijk.
Het gaat om de derde generatie van nandflashgeheugen dat SK Hynix onder de noemer '4D' produceert. In 2018 begon de fabrikant met dit type geheugen, toen met 96 lagen om tot 512Gbit te komen en vorig jaar volgde 128-laags nandflash. Tegenover die generatie zou de 176-laags opvolger 20 procent hogere snelheid bij het uitlezen van de geheugencellen bieden.
De doorvoersnelheid van het nieuwe geheugen zou met 33 procent toenemen tegenover de vorige generatie, tot een totaal van 1,6Gbit/s. SK Hynix wil halverwege volgend jaar de productie van het geheugen voor smartphones en andere mobiele producten starten, daarna moeten de consumentenmarkt voor ssd's en de enterprisemarkt volgen. Door de grotere hoeveelheid lagen neemt de bit productiviteit toe: het bedrijf kan meer geheugen uit wafers halen, waardoor de kosten kunnen dalen.
SK Hynix gebruikt de marketingnaam 4D om 3D-nand op basis van charge trap flash met periphery under cell-technologie aan te duiden. Bij periphery under cell plaatst het bedrijf de aansturingslogica van de geheugencellen onder het nand, waardoor de dichtheid toeneemt. Bij de toename van het aantal lagen met geheugencellen, wordt het moeilijker om gaten door de lagen te boren, meldt SK Hynix verder. Het bedrijf heeft daarom de tussenlagen zo dun mogelijk gemaakt, maar dit kan weer tot interferentie leiden. Om de prestaties en betrouwbaarheid toch op peil houden past SK Hynix verschillende technieken toe, waaronder het aanpassen van de spanningen op basis van de eigenschappen van de lagen.