Samsung werkt volgens Koreaanse media aan zijn zevende generatie nandgeheugen, dat uit 160 lagen of meer zou bestaan. Samsung zou hiervoor een zogenoemde doublestacktechniek ontwikkelen.
Bij de doublestacktechniek zou Samsung de cilindrische gaatjes voor zijn chargetraptechnologie 'in twee keer' aanbrengen, in plaats van in een keer zoals nu gebeurt, schrijft ETNews, maar details meldt de site verder niet. Het lijkt op basis van eerdere aankondigingen van Samsung waarschijnlijk dat het bedrijf twee dies van zijn 3d-nand op elkaar plakt en verbindt via through silicon via-kanaaltjes. Hoe dan ook zou volgens ETNews het nandgeheugen van de zevende generatie uit 160 lagen of meer kunnen bestaan. Wanneer de eerste ssd's met het nieuwe type nand moeten verschijnen, is niet bekend.
Samsung maakte vorig jaar zijn zesde generatie nand bekend. Toen al zei het bedrijf dat met zijn productietechnieken op termijn tot 300 lagen binnen handbereik zouden zijn, namelijk door drie nand-stacks te stapelen.
Voor geheugenchips van de zesde generatie V-Nand, zoals Samsung zijn 3d-nand noemt, gebruikt het bedrijf een niet nader genoemd aantal van 'meer dan 100 lagen'. Inmiddels zijn concurrenten als Micron en SK Hynix overgestapt op nand met 128 lagen.