Gerucht: Samsung ontwikkelt doublestacktechniek voor nand met 160 lagen

Samsung werkt volgens Koreaanse media aan zijn zevende generatie nandgeheugen, dat uit 160 lagen of meer zou bestaan. Samsung zou hiervoor een zogenoemde doublestacktechniek ontwikkelen.

Bij de doublestacktechniek zou Samsung de cilindrische gaatjes voor zijn chargetraptechnologie 'in twee keer' aanbrengen, in plaats van in een keer zoals nu gebeurt, schrijft ETNews, maar details meldt de site verder niet. Het lijkt op basis van eerdere aankondigingen van Samsung waarschijnlijk dat het bedrijf twee dies van zijn 3d-nand op elkaar plakt en verbindt via through silicon via-kanaaltjes. Hoe dan ook zou volgens ETNews het nandgeheugen van de zevende generatie uit 160 lagen of meer kunnen bestaan. Wanneer de eerste ssd's met het nieuwe type nand moeten verschijnen, is niet bekend.

Samsung maakte vorig jaar zijn zesde generatie nand bekend. Toen al zei het bedrijf dat met zijn productietechnieken op termijn tot 300 lagen binnen handbereik zouden zijn, namelijk door drie nand-stacks te stapelen.

Voor geheugenchips van de zesde generatie V-Nand, zoals Samsung zijn 3d-nand noemt, gebruikt het bedrijf een niet nader genoemd aantal van 'meer dan 100 lagen'. Inmiddels zijn concurrenten als Micron en SK Hynix overgestapt op nand met 128 lagen.

Door Olaf van Miltenburg

Nieuwscoördinator

17-04-2020 • 09:14

15

Reacties (15)

Sorteer op:

Weergave:

Betekent dit dat de capaciteit van een SSD die ze produceren volgens deze nieuwe methode dan ook met 60% toeneemt t.o.v de eerder gebruikte 100 lagen? En is dit proces duurder of goedkoper voor toekomstige SSD's?
dit klopt inderdaad, ze stapelen (stacken) gelijke grootte flash chips in een 3d ruimte. per laag (die je extra kwijt kan binnen hetzelfde volume, zodat je je formfactor kan behouden) win je dus de capaciteit gelijk aan de gebruikte flash chip per laag.
In een gerelateerd artikel op Tweakers schreef men:
“Door het verhogen van het aantal lagen worden geheugenchips vatbaarder voor fouten en treedt er meer latency op. Samsung zegt daarvoor te compenseren met verbeterde elektronische schakelingen die snellere datadoorvoer mogelijk maken.”

Handig voor goedkopere productie, maar vraag me af of dit niet te veel lagen zijn. Bij 100 lagen was men blijkbaar al bezig met compenseren en nu zijn het er 160.
Handig voor goedkopere productie, maar vraag me af of dit niet te veel lagen zijn.
Je komt er vanzelf achter. Als Samsung ze op de markt brengt, dan waren het er niet te veel.
Ja, de capaciteit schaalt direct met het aantal lagen in je 3D NAND (all other things equal).

Er is nu een race gaande om steeds meer lagen te stapelen, maar dat brengt ook een boel uitdagingen met zich mee. Defecten worden uitvergroot en de stapel kan buigen door de stress. Hoe meer lagen hoe lastiger het is om te garanderen dat elke laag dezelfde dikte en uniformiteit heeft. Ik verwacht dat op de lange termijn, als het productieproces eenmaal geoptimaliseerd is, het inderdaad voor een gunstigere €/ GB zorgt.
Wordt de hitte niet een probleem zo? Ik kan mij voorstellen dat de middelste lagen minder makkelijk hitte afvoeren dan de buitenste lagen.
Binnen het silicium / de chip is de temperatuur vaak redelijk constant omdat de warmtegeleiding van silicium heel hoog is. Het is vaak moeilijk om de warmte het silicium uit te krijgen en naar de rest van de behuizing af te voeren. Dit wordt wel steeds moeilijker als er meer lagen worden gestapeld en waarschijnlijk het verbruik per oppervlakte toe neemt.
Weet iemand of Samsung en haar concurrenten of ze nieuwe lithografische machines van ASML nodig hebben om dit te bereiken? Met de huidige correcties op de aandelenmarkt kan het dan interessant zijn aandelen van ASML achtige partijen relatief gunstig in te slaan.
PS: dit is geen aandelenadvies, ik probeer te begrijpen of Samsung voor het behalen van deze stappen andere machines door andere partijen te leveren nodig heeft.
denk het niet, deze gebruikt volgens mij een veel grotere litho techniek
deze worden volgens mij niet gemaakt op bv 7nm maar eerder 20 or 32?
neuh hoor, moderne SSDs zitten al op 7nm euv
nee hoor
het is lastig te vinden maar volgens mij zitten de meeste nog rond de 20nm

https://www.techinsights....-technology-update-iedm18

die 2d nand die ging naar beneden maar dat was niet meer goed te krijgen
dus zijn ze met 3d heel veel nodes weer omhoog gegaan
https://en.wikipedia.org/wiki/Flash_memory
zie het kopje Flash scalability

flash is juist vaak een van de eerste producties die naar een kleinere node gaan, vanwege dat het geen complexe architectuur is.
in 2013 zat samsung al op hun 10nm node (wat trouwens ook maar een marketing term is, dingen als de gate pitch zitten alsnog boven de 50nm)

[Reactie gewijzigd door Crotchy op 23 juli 2024 09:05]

tja
nu hebben we 2 bronnen en ik geloof die wikipedia niet

want wat daar staat is gewoon niet waar
want zij zeggen dus dat van 2014 naar 2015, de stap van 2d nand naar 3d de node niet veranderde
Dat is niet waar. toen ze de stap naar 3d maakten is de node waar ze het in maakten weer flink omhoog gegooid, omdat ze allemaal problemen kregen. TLC en QLC was echt niet te doen, die kleine nodes waren te onstabiel.
in mijn link en in dit plaatje zie je dat heel goed:

https://www.techinsights....-update-at-IEDM18-b-1.jpg

daar zie je dat ja in 2014 zaten ze ongeveer op 16nm toen 3d er aankwam zaten sommigen op 14nm
maar 3D starte toen voor Samsung (20nm), Toshiba (19nm) en Intel zelfs op 40nm!
Intel is na de eerste generatie ook weer naar 20 gezakt
en volgens mij zitten de meeste daar nog steeds op.
Maar we lijken dit jaar en volgend jaar wel in een overgang te zitten
Wat betreft de concurrentie: SK hynix heeft vorig jaar een roadmap gepresenteerd en daarin verwachten ze dit jaar 176 lagen te halen, 500 in 2025 en zelfs 800 in 2030.

[Reactie gewijzigd door g0tanks op 23 juli 2024 09:05]

Hoe rapper hoe liever. Als een 4 TB ssd betaalbaar wordt wil ik zo rap mogelijk mijn 3 TB hdd vervangen. Hoe meer NAND-lagen hoe meer capaciteit en hoe goedkoper.

Op dit item kan niet meer gereageerd worden.